半橋全橋復的驅(qū)動電路是使功率管產(chǎn)生交流制電的觸發(fā)信號，并不是將交流信號變直流信號。百即使單片度機可以輸出直流信號，驅(qū)動電源ic電流的選擇，但是它問的驅(qū)動能力也是有限的，所以單片機一般做驅(qū)動答信號，驅(qū)動大的功率管，來產(chǎn)生大電流從而才能驅(qū)動電機。

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集微網(wǎng)消息，可以說 2017 一整年 MLCC 一直處于缺貨狀態(tài)，驅(qū)動電源ic品牌，受惠于 MLCC 缺貨和漲價的趨勢，驅(qū)動 IC 廠商矽創(chuàng)推出的 HD 以及 FHD 零電容驅(qū)動 IC 方案因相對具有成本優(yōu)勢，法人預估 2018 年的出貨量將上漲 30% 以上。此外，法人表示，2018 年下半年隨著 FHD TDDI 開始出貨，雖然初期對營收貢獻較低，但長期來看有利于 ASP 的提升。

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IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。

特點：擊穿電壓可達1200V，集電極飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，驅(qū)動電源ic，工作頻率可達20kHz。

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優(yōu)點，既具有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越廣泛的應用，在較高頻率的大、中功率應用中占據(jù)了主導地位。

若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有在u級的漏電流流過，基本上不消耗功率。