CMOS傳感器采用普通半導(dǎo)體電路常用的CMOS工藝，具有集成度高、功耗小、速度快、本錢(qián)低等特性，近幾年在寬動(dòng)態(tài)、低照度方面展開(kāi)疾速。CMOS即互補(bǔ)性金屬氧化物半導(dǎo)體，主要是應(yīng)用硅和鍺兩種元素所做成的半導(dǎo)體，經(jīng)過(guò)CMOS上帶負(fù)電和帶正電的晶體管來(lái)完成基本的功用。這兩個(gè)互補(bǔ)效應(yīng)所產(chǎn)生的電流即可被處置芯片記載和解讀成影像。

　紅外傳感器是將輻射能轉(zhuǎn)換為電能的一種傳感器，又稱為紅外探測(cè)器.常見(jiàn)的紅外探測(cè)器有兩大類(lèi)，熱探測(cè)器和光子探m器.熱探測(cè)器是利用人射紅外輻射引起探測(cè)器的敏感元件的沮度變化，進(jìn)而使有關(guān)物理參數(shù)發(fā)生相應(yīng)的變化，通過(guò)測(cè)量有關(guān)物理參數(shù)的變化來(lái)確定紅外探測(cè)器吸收的紅外輻射.熱探測(cè)器的主要優(yōu)點(diǎn)是響應(yīng)波段寬，可以在室沮下工作，使用方便。

但是，壓力傳感器，熱探測(cè)器響應(yīng)時(shí)間長(zhǎng)，靈敏度較低，一般用于紅外輻射變化緩慢的場(chǎng)合.如光譜儀、測(cè)溫儀、紅外攝像等。光子紅外探測(cè)器是利用某些半導(dǎo)體材料在紅外輻射的照射下，產(chǎn)生光子效應(yīng)，使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化，通過(guò)測(cè)電學(xué)性質(zhì)的變化，可以確定紅外輻射的強(qiáng)弱。光子探測(cè)器的主要優(yōu)點(diǎn)是靈敏度高，進(jìn)氣壓力傳感器，響應(yīng)速度快，響應(yīng)頻率高。但一般需在低溫下_L作，探測(cè)波段較窄，真空壓力傳感器，一般用于側(cè)溫儀、航空掃描儀、熱像儀等。紅外傳感器廣泛用于測(cè)溫、成像、成分分析、無(wú)損檢測(cè)等方面，特別是在軍事上的應(yīng)用更為廣泛，汽車(chē)壓力傳感器，如紅外偵察、紅外雷達(dá)、紅外通信、紅外對(duì)抗等。

磁電阻/超導(dǎo)復(fù)合式磁傳感器早由D. Robbes等人提出，該類(lèi)傳感器主要由磁電阻傳感器和超導(dǎo)磁場(chǎng)放大器構(gòu)成。其中超導(dǎo)磁場(chǎng)放大器是一個(gè)由超導(dǎo)薄膜構(gòu)成的閉合環(huán)路。超導(dǎo)環(huán)路中有一段寬度狹窄區(qū)域。磁電阻傳感器位于超導(dǎo)磁場(chǎng)放大器環(huán)路狹窄區(qū)域上方并由絕緣層分隔。

對(duì)于超導(dǎo)磁場(chǎng)放大器而言，其磁場(chǎng)放大倍數(shù)主要由放大器的尺寸和狹窄區(qū)域?qū)挾葲Q定。增大超導(dǎo)磁場(chǎng)放大器的尺寸，以及減小狹窄區(qū)域的寬度，都會(huì)顯著增加超導(dǎo)磁場(chǎng)放大器的磁場(chǎng)放大倍數(shù)。例如，理論計(jì)算表明，當(dāng)超導(dǎo)磁場(chǎng)放大器直徑達(dá)到25 mm，狹窄區(qū)域?qū)挾葹? μm時(shí)，磁場(chǎng)放大倍數(shù)將達(dá)到3500 倍，而相應(yīng)的磁電阻/超導(dǎo)復(fù)合式磁傳感器的磁場(chǎng)探測(cè)能力將有望達(dá)到1 f，甚至更低的磁場(chǎng)。

磁電阻/超導(dǎo)復(fù)合式磁傳感器的性能不僅取決于超導(dǎo)磁場(chǎng)放大器的磁場(chǎng)放大能力，同時(shí)也取決于磁電阻傳感器的靈敏度、噪聲等特性。目前在磁電阻傳感器領(lǐng)域性能為優(yōu)異、同時(shí)有應(yīng)用價(jià)值及潛力的當(dāng)屬GMR和TMR磁傳感器。下面將分別對(duì)GMR/超導(dǎo)復(fù)合式磁傳感器的發(fā)展及本課題組在TMR/超導(dǎo)復(fù)合式磁傳感器制備、測(cè)試方面開(kāi)展的工作進(jìn)行介紹。