模擬電路

有一段時間，MOSFET并非模擬電路設(shè)計工程師的，因為模擬電路設(shè)計重視的性能參數(shù)，常用led恒流驅(qū)動電源ic，如晶體管的轉(zhuǎn)導(dǎo)（transconductance）或是電流的驅(qū)動力上，MOSFET不如BJT來得適合模擬電路的需求。但是隨著MOSFET技術(shù)的不斷演進(jìn)，今日的CMOS技術(shù)也已經(jīng)可以符合很多模擬電路的規(guī)格需求。再加上MOSFET因為結(jié)構(gòu)的關(guān)系，沒有BJT的一些致命缺點，驅(qū)動電源ic，如熱破壞（thermal runaway）。另外，MOSFET在線性區(qū)的壓控電阻特性亦可在集成電路里用來取代。

隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的進(jìn)步，對于整合更多功能至單一芯片的需求也跟著大幅提升，此時用MOSFET設(shè)計模擬電路的另外一個優(yōu)點也隨之浮現(xiàn)。為了減少在印刷電路板（Printed Circuit Board，PCB）上使用的集成電路數(shù)量、減少封裝成本與縮小系統(tǒng)的體積，很多原本獨立的類比芯片與數(shù)位芯片被整合至同一個芯片內(nèi)。MOSFET原本在數(shù)位集成電路上就有很大的競爭優(yōu)勢，在類比集成電路上也大量采用MOSFET之后，把這兩種不同功能的電路整合起來的困難度也顯著的下降。另外像是某些混合信號電路（Mixed-signal circuits），如類比/數(shù)位轉(zhuǎn)換器（Analog-to-Digital Converter，驅(qū)動電源ic是什么，ADC），也得以利用MOSFET技術(shù)設(shè)計出效能更好的產(chǎn)品。

簡要介紹了MOS管的驅(qū)動。

MOSFET由于具有較低的內(nèi)阻導(dǎo)通量和較高的開關(guān)速度而廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源。驅(qū)動MOSFET通常是根據(jù)電源IC和MOSFET參數(shù)選擇合適的電路。用MOSFET設(shè)計開關(guān)電源時，大多數(shù)人會考慮MOSFET的導(dǎo)通電阻，電壓，電流。

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此外，在畫質(zhì)主要表現(xiàn)上，低更亮可靠性一直是修羅神欣賞間距與顯示信息實際效果的重要，單一色調(diào)均值恒流電源驅(qū)動器至少能致15uA，灰度級數(shù)可做到16bit，使顯示信息界面的飽和度與勻稱性更為細(xì)致，另外也可以做到環(huán)保節(jié)能低能耗的實際效果。