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MOS管這個(gè)器件有兩個(gè)電極，分別是漏極D和源極S，無(wú)論是圖一的N型還是圖二的P型都是一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底上，用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個(gè)高摻雜濃度的N /P 區(qū)，并用金屬鋁引出漏極D和源極S。然后在漏極和源極之間的N/P型半導(dǎo)體表面復(fù)蓋一層很薄的二氧化硅（Si02）絕緣層膜，24N50_mos管，在再這個(gè)絕緣層膜上裝上一個(gè)鋁電極，_mos管，作為柵極G。這就構(gòu)成了一個(gè)N/P溝道（NPN型）增強(qiáng)型MOS管。

The UTC 8N80 is an N-channel mode Power FET，25N120_mos管， it uses UTC’sadvanced technology to provide costumers planar stripe and DMOS

technology. 

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1、場(chǎng)效應(yīng)管的源極S、柵極G、漏極D分別對(duì)應(yīng)于三極管的發(fā)射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似，圖一所示是N溝道MOS管和NPN型晶體三極管引腳，圖二所示是P溝道MOS管和PNP型晶體三極管引腳對(duì)應(yīng)圖。

2、場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制電流器件，由VGS控制ID，普通的晶體三極管是電流控制電流器件，由IB控制IC。MOS管道放大系數(shù)是（跨導(dǎo)gm）當(dāng)柵極電壓改變一伏時(shí)能引起漏極電流變化多少安培。晶體三極管是電流放大系數(shù)（貝塔β）當(dāng)基極電流改變一毫安時(shí)能引起集電極電流變化多少。

3、場(chǎng)效應(yīng)管柵極和其它電極是絕緣的，不產(chǎn)生電流；而三極管工作時(shí)基極電流IB決定集電極電流IC。因此場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻比三極管的輸入電阻高的多。

4、場(chǎng)效應(yīng)管只有多數(shù)載流子參與導(dǎo)電；三極管有多數(shù)載流子和少數(shù)載流子兩種載流子參與導(dǎo)電，A09T_mos管，因少數(shù)載流子濃度受溫度、輻射等因素影響較大，所以場(chǎng)效應(yīng)管比三極管的溫度穩(wěn)定性好。

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25N120-ASEMI高品質(zhì)mos管

型號(hào)：25N120

品牌：ASEMI

封裝：TO-247/3P

電性參數(shù)：25A 1200V

正向電流：25A

反向耐壓：1200V

工作溫度：-55~150°C

特性：mos管

場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制電流器件，由VGS控制ID，普通的晶體三極管是電流控制電流器件，由IB控制IC。MOS管道放大系數(shù)是（跨導(dǎo)gm）當(dāng)柵極電壓改變一伏時(shí)能引起漏極電流變化多少安培。晶體三極管是電流放大系數(shù)（貝塔β）當(dāng)基極電流改變一毫安時(shí)能引起集電極電流變化多少。

A09Tmos管-ASEMI(在線咨詢)-_mos管由鼎芯實(shí)業(yè)（深圳）有限公司提供。鼎芯實(shí)業(yè)（深圳）有限公司堅(jiān)持“以人為本”的企業(yè)理念，擁有一支技術(shù)過(guò)硬的員工隊(duì)伍，力求提供更好的產(chǎn)品和服務(wù)回饋社會(huì)，并歡迎廣大新老客戶光臨惠顧，真誠(chéng)合作、共創(chuàng)美好未來(lái)。鼎芯實(shí)業(yè)——您可信賴的朋友，公司地址：深圳市福田區(qū)福虹路9號(hào)世貿(mào)廣場(chǎng)A座38層，聯(lián)系人：李強(qiáng)。同時(shí)本公司還是從事整流橋型號(hào)參數(shù)，整流橋型號(hào)封裝，整流橋型號(hào)價(jià)格的廠家，歡迎來(lái)電咨詢。