90N10/100N10-ASEMI_MOSFET管

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90N10/100N10-ASEMI_MOSFET管

MOS管驅(qū)動

跟雙極性晶體管相比，普通以為使MOS管導(dǎo)通不需求電流，只需GS電壓高于一定的值，就可以了。這個很容易做到，但是，我們還需求速度。在MOS管的結(jié)構(gòu)中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅(qū)動，理論上就是對電容的充放電。對電容的充電需求一個電流，由于對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會比較大。選擇/設(shè)計(jì)MOS管驅(qū)動時要留意的是可提供瞬間短路電流的大小。第二留意的是，普遍用于驅(qū)動的NMOS，導(dǎo)通時需求是柵極電壓大于源極電壓。而驅(qū)動的MOS管導(dǎo)通時源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V。假設(shè)在同一個系統(tǒng)里，要得到比VCC大的電壓，9N90_mos管供應(yīng)，就要特地的升壓電路了。很多馬達(dá)驅(qū)動器都集成了電荷泵，要留意的是應(yīng)該選擇適合的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅(qū)動MOS管。上邊說的4V或10V是常用的MOS管的導(dǎo)通電壓，設(shè)計(jì)時當(dāng)然需求有一定的余量。而且電壓越高，導(dǎo)通速度越快，_mos管供應(yīng)，導(dǎo)通電阻也越小。往常也有導(dǎo)通電壓更小的MOS管用在不同的范疇里，但在12V汽車電子系統(tǒng)里，普通4V導(dǎo)通就夠用了。

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SYM601-ASEMI四腳MOS管

型號：SYM601

品牌：ASEMI

封裝：SOT-89

電性參數(shù)：1A 600V

正向電流：1A

反向耐壓：600V

特性：MOS管

工作溫度：-55~150°C

場效應(yīng)管分為PMOS管和NMOS管，屬于絕緣柵場效應(yīng)管。

MOS管，10N60_mos管供應(yīng)，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，20N10_mos管供應(yīng)，簡稱金氧半場效晶體管（metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。

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10N60-ASEMI高壓MOS管

型號：10N60

品牌：ASEMI

封裝：TO-220

電性參數(shù)：10A 600V

正向電流：10A

反向耐壓：600V

工作溫度：-55~150°C

特性：mos管

MOS管的特性。

MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好；制造工藝簡單、輻射強(qiáng)，因而通常被用于放大電路或開關(guān) 電路。

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