干法刻蝕

干法刻蝕種類很多，包括光揮發(fā)、氣相腐蝕、等離子體腐蝕等。其優(yōu)點是：各向異性好，選擇比高，聚焦離子束刻蝕機廠家，可控性、靈活性、重復(fù)性好，聚焦離子束刻蝕機多少錢，細(xì)線條操作安全，易實現(xiàn)自動化，聚焦離子束刻蝕機，無化學(xué)廢液，處理過程未引入污染，潔凈度高。缺點是：成本高，設(shè)備復(fù)雜。干法刻蝕主要形式有純化學(xué)過程（如*式，下游式，桶式），純物理過程（如離子銑），物理化學(xué)過程，常用的有反應(yīng)離子刻蝕RIE，離子束輔助自由基刻蝕ICP等。干法刻蝕方式很多，一般有：濺射與離子束銑蝕， 等離子刻蝕（Plasma Etching），聚焦離子束刻蝕機生產(chǎn)廠家，高壓等離子刻蝕，高密度等離子體（HDP）刻蝕，反應(yīng)離子刻蝕（RIE）。另外，化學(xué)機械拋光CMP，剝離技術(shù)等等也可看成是廣義刻蝕的一些技術(shù)。

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離子束刻蝕

離子束刻蝕以離子束為刻蝕手段達(dá)到刻蝕目的的技術(shù)，其分辨率限制于粒子進(jìn)入基底以及離子能量耗盡過程的路徑范圍。離子束較小直徑約10nm，離子束刻蝕的結(jié)構(gòu)較小可能不會小于10nm。目前聚焦離子束刻蝕的束斑可達(dá)100nm以下，較以較快的直寫速度進(jìn)行小于50nm的刻蝕，故而聚焦離子束刻蝕是納米加工的一種理想方法。此外聚焦離子束技術(shù)的另一優(yōu)點是在計算機控制下的無掩膜注入，甚至無顯影刻蝕，直接制造各種納米器件結(jié)構(gòu)。但是，在離子束加工過程中，損傷問題比較突出，且離子束加工精度還不容易控制，控制精度也不夠高。

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濕法刻蝕

濕法刻蝕是一個純粹的化學(xué)反應(yīng)過程，是指利用溶液與預(yù)刻蝕材料之間的化學(xué)反應(yīng)來去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達(dá)到刻蝕目的。其特點是：濕法刻蝕在半導(dǎo)體工藝中有著廣泛應(yīng)用：磨片、拋光、清洗、腐蝕優(yōu)點是選擇性好、重復(fù)性好、生產(chǎn)、設(shè)備簡單、成本低。

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