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聚焦離子束刻蝕機(jī)多少錢-聚焦離子束刻蝕機(jī)-創(chuàng)世威納科技

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發(fā)布時間:2020-11-09 08:03  






干法刻蝕

干法刻蝕種類很多,包括光揮發(fā)、氣相腐蝕、等離子體腐蝕等。其優(yōu)點是:各向異性好,選擇比高,聚焦離子束刻蝕機(jī)廠家,可控性、靈活性、重復(fù)性好,聚焦離子束刻蝕機(jī)多少錢,細(xì)線條操作安全,易實現(xiàn)自動化,聚焦離子束刻蝕機(jī),無化學(xué)廢液,處理過程未引入污染,潔凈度高。缺點是:成本高,設(shè)備復(fù)雜。干法刻蝕主要形式有純化學(xué)過程(如*式,下游式,桶式),純物理過程(如離子銑),物理化學(xué)過程,常用的有反應(yīng)離子刻蝕RIE,離子束輔助自由基刻蝕ICP等。干法刻蝕方式很多,一般有:濺射與離子束銑蝕, 等離子刻蝕(Plasma Etching),聚焦離子束刻蝕機(jī)生產(chǎn)廠家,高壓等離子刻蝕,高密度等離子體(HDP)刻蝕,反應(yīng)離子刻蝕(RIE)。另外,化學(xué)機(jī)械拋光CMP,剝離技術(shù)等等也可看成是廣義刻蝕的一些技術(shù)。

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離子束刻蝕

離子束刻蝕以離子束為刻蝕手段達(dá)到刻蝕目的的技術(shù),其分辨率限制于粒子進(jìn)入基底以及離子能量耗盡過程的路徑范圍。離子束較小直徑約10nm,離子束刻蝕的結(jié)構(gòu)較小可能不會小于10nm。目前聚焦離子束刻蝕的束斑可達(dá)100nm以下,較以較快的直寫速度進(jìn)行小于50nm的刻蝕,故而聚焦離子束刻蝕是納米加工的一種理想方法。此外聚焦離子束技術(shù)的另一優(yōu)點是在計算機(jī)控制下的無掩膜注入,甚至無顯影刻蝕,直接制造各種納米器件結(jié)構(gòu)。但是,在離子束加工過程中,損傷問題比較突出,且離子束加工精度還不容易控制,控制精度也不夠高。

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濕法刻蝕

濕法刻蝕是一個純粹的化學(xué)反應(yīng)過程,是指利用溶液與預(yù)刻蝕材料之間的化學(xué)反應(yīng)來去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達(dá)到刻蝕目的。其特點是:濕法刻蝕在半導(dǎo)體工藝中有著廣泛應(yīng)用:磨片、拋光、清洗、腐蝕優(yōu)點是選擇性好、重復(fù)性好、生產(chǎn)、設(shè)備簡單、成本低。

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