磁控濺射

磁控濺射靶材的利用率可成為磁控濺射源的工程設(shè)計(jì)和生產(chǎn)工藝成本核算的一個(gè)參數(shù)。目前沒有見到對磁控濺射靶材利用率專門或系統(tǒng)研究的報(bào)道，而從理論上對磁控濺射靶材利用率近似計(jì)算的探討具有實(shí)際意義。對于靜態(tài)直冷矩形平面靶，即靶材與磁體之間無相對運(yùn)動(dòng)且靶材直接與冷卻水接觸的靶，?靶材利用率數(shù)據(jù)多在20%~30%左右(間冷靶相對要高一些，但其被刻蝕過程與直冷靶相同，磁控濺射鍍膜機(jī)，不作專門討論)，且多為估計(jì)值。為了提高靶材利用率，研究出來了不同形式的動(dòng)態(tài)靶，其中以旋轉(zhuǎn)磁場圓柱靶工業(yè)上被廣泛應(yīng)用，據(jù)稱這種靶材的利用率可超過70%，但缺少足夠數(shù)據(jù)或理論證明。常見的磁控濺射靶材從幾何形狀上看有三種類型：矩形平面、圓形平面和圓柱管? 如何提高利用率是真空磁控濺射鍍膜行業(yè)的重點(diǎn)，圓柱管靶利用高，但在有些產(chǎn)業(yè)是不適用的，如何提高靶材利用，請到此一看的朋友，在下面留下你的見解，提供好的方法。

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直流濺射法

濺射過程中涉及到復(fù)雜的散射過程和多種能量傳遞過程：入射粒子與靶材原子發(fā)生彈性碰撞，入射粒子的一部分動(dòng)能會(huì)傳給靶材原子；某些靶材原子的動(dòng)能超過由其周圍存在的其它原子所形成的勢壘（對于金屬是5-10 eV），從而從晶格點(diǎn)陣中被碰撞出來，產(chǎn)生離位原子；這些離位原子進(jìn)一步和附近的原子依次反復(fù)碰撞，產(chǎn)生碰撞級聯(lián)；當(dāng)這種碰撞級聯(lián)到達(dá)靶材表面時(shí)，如果靠近靶材表面的原子的動(dòng)能大于表面結(jié)合能（對于金屬是1-6eV），這些原子就會(huì)從靶材表面脫離從而進(jìn)入真空。

磁控濺射鍍膜設(shè)備及技術(shù)

（專利技術(shù)）該設(shè)備選用磁控濺射鍍一層薄薄的膜（MSP）技術(shù)性，是這種智能、率的鍍膜設(shè)備?？梢罁?jù)客戶規(guī)定配備轉(zhuǎn)動(dòng)磁控靶、單脈沖濺射靶、中頻孿生濺射靶、非均衡磁控濺射靶、霍耳等離子技術(shù)源、考夫曼離子源、直流電單脈沖累加式偏壓開關(guān)電源等，組態(tài)靈便、主要用途普遍，主要用于金屬材料或非金屬材料（塑膠、夾層玻璃、瓷器等）的鋼件鍍鋁、銅、鉻、鈦金板、銀及不銹鋼板等陶瓷膜或式陶瓷膜及滲金屬材料DLC膜，所鍍一層薄薄的膜層勻稱、高密度、粘合力強(qiáng)等特性，可普遍用以電器產(chǎn)品、時(shí)鐘、陶瓷藝術(shù)品、小玩具、大燈反光罩及其儀表設(shè)備等表層裝飾藝術(shù)鍍一層薄薄的膜及工磨具的作用鍍層。2離子轟擊滲擴(kuò)技術(shù)性的特性(1)離子轟擊滲擴(kuò)更快因?yàn)檫x用低溫等離子無心插柳，為滲劑分子和正離子的吸咐和滲人造就了高寬比活性的表層，提升了結(jié)晶中缺點(diǎn)的相對密度，比傳統(tǒng)式的汽體滲擴(kuò)技術(shù)性速率明顯增強(qiáng)。在一樣加工工藝標(biāo)準(zhǔn)下，滲層深度1在0.05二以內(nèi)，比汽體滲擴(kuò)提升1倍。在較高溫度下，1h就能達(dá)lmm厚。(2)對鋼件表層改..

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