磁控濺射

磁控濺射靶材的利用率可成為磁控濺射源的工程設計和生產(chǎn)工藝成本核算的一個參數(shù)。目前沒有見到對磁控濺射靶材利用率專門或系統(tǒng)研究的報道，而從理論上對磁控濺射靶材利用率近似計算的探討具有實際意義。對于靜態(tài)直冷矩形平面靶，即靶材與磁體之間無相對運動且靶材直接與冷卻水接觸的靶，?靶材利用率數(shù)據(jù)多在20%~30%左右(間冷靶相對要高一些，但其被刻蝕過程與直冷靶相同，磁控濺射鍍膜機，不作專門討論)，且多為估計值。為了提高靶材利用率，研究出來了不同形式的動態(tài)靶，其中以旋轉(zhuǎn)磁場圓柱靶工業(yè)上被廣泛應用，據(jù)稱這種靶材的利用率可超過70%，但缺少足夠數(shù)據(jù)或理論證明。常見的磁控濺射靶材從幾何形狀上看有三種類型：矩形平面、圓形平面和圓柱管? 如何提高利用率是真空磁控濺射鍍膜行業(yè)的重點，圓柱管靶利用高，但在有些產(chǎn)業(yè)是不適用的，如何提高靶材利用，請到此一看的朋友，在下面留下你的見解，提供好的方法。

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直流濺射法

濺射過程中涉及到復雜的散射過程和多種能量傳遞過程：入射粒子與靶材原子發(fā)生彈性碰撞，入射粒子的一部分動能會傳給靶材原子；某些靶材原子的動能超過由其周圍存在的其它原子所形成的勢壘（對于金屬是5-10 eV），從而從晶格點陣中被碰撞出來，產(chǎn)生離位原子；這些離位原子進一步和附近的原子依次反復碰撞，產(chǎn)生碰撞級聯(lián)；當這種碰撞級聯(lián)到達靶材表面時，如果靠近靶材表面的原子的動能大于表面結(jié)合能（對于金屬是1-6eV），這些原子就會從靶材表面脫離從而進入真空。

磁控濺射鍍膜設備及技術

（專利技術）該設備選用磁控濺射鍍一層薄薄的膜（MSP）技術性，是這種智能、率的鍍膜設備?？梢罁?jù)客戶規(guī)定配備轉(zhuǎn)動磁控靶、單脈沖濺射靶、中頻孿生濺射靶、非均衡磁控濺射靶、霍耳等離子技術源、考夫曼離子源、直流電單脈沖累加式偏壓開關電源等，組態(tài)靈便、主要用途普遍，主要用于金屬材料或非金屬材料（塑膠、夾層玻璃、瓷器等）的鋼件鍍鋁、銅、鉻、鈦金板、銀及不銹鋼板等陶瓷膜或式陶瓷膜及滲金屬材料DLC膜，所鍍一層薄薄的膜層勻稱、高密度、粘合力強等特性，可普遍用以電器產(chǎn)品、時鐘、陶瓷藝術品、小玩具、大燈反光罩及其儀表設備等表層裝飾藝術鍍一層薄薄的膜及工磨具的作用鍍層。2離子轟擊滲擴技術性的特性(1)離子轟擊滲擴更快因為選用低溫等離子無心插柳，為滲劑分子和正離子的吸咐和滲人造就了高寬比活性的表層，提升了結(jié)晶中缺點的相對密度，比傳統(tǒng)式的汽體滲擴技術性速率明顯增強。在一樣加工工藝標準下，滲層深度1在0.05二以內(nèi)，比汽體滲擴提升1倍。在較高溫度下，1h就能達lmm厚。(2)對鋼件表層改..

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