影響離子束刻蝕的因素

影響刻蝕效果的因素很多，大樣片離子束刻蝕機多少錢，還有諸如離子刻蝕的二次效應(yīng)、光刻膠掩模圖形的形狀和厚度、源靶距效應(yīng)、離子刻蝕弓起的材料損傷及溫度效應(yīng)等。

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離子束刻蝕

離子束刻蝕以離子束為刻蝕手段達到刻蝕目的的技術(shù)，大樣片離子束刻蝕機報價，其分辨率限制于粒子進入基底以及離子能量耗盡過程的路徑范圍。離子束較小直徑約10nm，離子束刻蝕的結(jié)構(gòu)較小可能不會小于10nm。目前聚焦離子束刻蝕的束斑可達100nm以下，較以較快的直寫速度進行小于50nm的刻蝕，故而聚焦離子束刻蝕是納米加工的一種理想方法。此外聚焦離子束技術(shù)的另一優(yōu)點是在計算機控制下的無掩膜注入，甚至無顯影刻蝕，大樣片離子束刻蝕機供應(yīng)商，直接制造各種納米器件結(jié)構(gòu)。但是，在離子束加工過程中，損傷問題比較突出，大樣片離子束刻蝕機，且離子束加工精度還不容易控制，控制精度也不夠高。

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反應(yīng)性離子刻蝕

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反應(yīng)性離子刻蝕 （reaction ionetching；RIE）是制作半導(dǎo)體集成電路的蝕刻工藝之一。在除去不需要的集成電路板上的保護膜時，利用反應(yīng)性氣體的離子束，切斷保護膜物質(zhì)的化學(xué)鍵，使之產(chǎn)生低分子物質(zhì)，揮發(fā)或游離出板面，這樣的方法稱為反應(yīng)性離子刻蝕。

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