刻蝕技術(shù)

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刻蝕技術(shù)（etching technique），是在半導(dǎo)體工藝，按照掩模圖形或設(shè)計要求對半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性腐蝕或剝離的技術(shù)?？涛g技術(shù)不僅是半導(dǎo)體器件和集成電路的基本制造工藝，而且還應(yīng)用于薄膜電路、印刷電路和其他微細(xì)圖形的加工?？涛g還可分為濕法刻蝕和干法刻蝕。

離子束刻蝕機

離子束是指以近似一致的速度沿幾乎同一方向運動的一群離子。離子源用以獲得離子束的裝置。在各類離子源中，用得較多的是等離子體離子源，大樣片離子束刻蝕機，即用電場將離子從一團等離子體中引出來。這類離子源的主要參數(shù)由等離子體的密度、溫度和引出系統(tǒng)的質(zhì)量決定。屬于這類離子源的有:潘寧放電型離子源射頻離子源、微波離子源、雙等離子體源、富立曼離子源等。另一類使用較多的離子源是電子碰撞型離子源，主要用于各種質(zhì)譜儀器中。

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加速1器從離子源獲得的離子束的能量一般從幾百電子伏到幾萬電子伏。因為用高引出電壓方式獲得較高能量的離子束受到擊穿的限制，大樣片離子束刻蝕機生產(chǎn)廠家，所以必須使離子在電場和磁場中加速，這類裝置叫做加1速器(見粒子加1速器)使用各種加1速器可以使離子獲得很高的能量（如幾百吉電子伏），也可以使離子減速，以獲得能量較低的（如幾十電子伏）但流強很高的離子束。

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