射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（RF-PCVD）

在低壓容器的兩極上加高頻電壓則產(chǎn)生射頻放電形成等離子體，汽車(chē)納米鍍膜設(shè)備，射頻電源通常采用電容耦合或電感耦合方式，其中又可分為電極式和無(wú)電極式結(jié)構(gòu)，電極式一般采用平板式或熱管式結(jié)構(gòu)，優(yōu)點(diǎn)是可容納較多工件，但這種裝置中的分解率遠(yuǎn)低于1%，即等離子體的內(nèi)能不高。電極式裝置設(shè)在反應(yīng)容器外時(shí)，主要為感應(yīng)線圈，五金納米鍍膜設(shè)備，如圖5，也叫無(wú)極環(huán)形放電，射頻頻率為13.56MHz。

納米鍍膜設(shè)備

以下是制備的必要條件：

①  在沉積溫度下，反應(yīng)物具有足夠的蒸氣壓，并能以適當(dāng)?shù)乃俣缺灰敕磻?yīng)室；

② 反應(yīng)產(chǎn)物除了形成固態(tài)薄膜物質(zhì)外，都必須是揮發(fā)性的；

③ 沉積薄膜和基體材料必須具有足夠低的蒸氣壓。

CVD技術(shù)是作為涂層的手段而開(kāi)發(fā)的，但不只應(yīng)用于耐熱物質(zhì)的涂·層，而且應(yīng)用于高純度金屬的精制、粉末合成、半導(dǎo)體薄膜等，納米鍍膜設(shè)備，是一個(gè)頗具特征的技術(shù)領(lǐng)域，其工藝成本具體而定。

真空鍍膜機(jī)主要指一類(lèi)需要在較高真空度下進(jìn)行的鍍膜，具體包括很多種類(lèi)，包括真空離子蒸發(fā)，手機(jī)納米鍍膜設(shè)備，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。 

真空鍍膜機(jī)工作的環(huán)境要求：       

真空鍍膜設(shè)備要在真空條件下工作，因此該設(shè)備要滿足真空對(duì)環(huán)境的要求。真空對(duì)環(huán)境的要求，一般包括真空設(shè)備對(duì)所處實(shí)驗(yàn)室（或車(chē)間）的溫度、空氣中的微粒等周?chē)h(huán)境的要求，和對(duì)處于真空狀態(tài)或真空中的零件或表面要求兩個(gè)方面。

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