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快充整流橋相比傳統(tǒng)充電器，它的體積小，氮化材料本身優(yōu)異的性能，使得做出來的氮化比傳統(tǒng)硅基IGBT/MOSFET 等芯片面積更小，同時由于更耐高壓，大電流，氮化芯片功率密度更大，ULBFR410新推軟橋，因此功率密度/面積遠超硅基。所以較比傳統(tǒng)充電器整流橋，快充整流橋會更占優(yōu)勢。

ASEMI半導體廠家-強元芯電子**經(jīng)營分離式元器件，主要生產(chǎn)銷售整流橋系列封裝（DB、WOB、BR、KBPC、KBP、KBPM、GBU、GBL、KBL、KBJ、KBU）；整流模塊

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快充技術(shù)原理-快速充電原理

電池核心仍是鋰離子，大多數(shù)廠商走的，基本是“開源”和“節(jié)流”兩條路——電池廠商努力提升能量密度加大容量，芯片廠商則在尋求低功耗方案，但這兩者都是有上限的：前者手機便攜性所限，后者是是技術(shù)限制。

既然開源節(jié)流效果都不明顯，廠商就開始采用“曲線救國“的方案：提高手機的充電速度，從常規(guī)的1-2小時變得更短，以此降低充電的時間成本，換取便捷性。

電池充電的基本條件是：充電器電壓要比電池電壓高，才能克服電池的電壓使它產(chǎn)生充電電流，完成電荷轉(zhuǎn)移過程。

初中物理都學過，功率（P）=電壓（U）x電流（I），在電池電量一定的情況，功率標志著充電速度，可以通過下列三種方式來縮短充電時間：

1、電流不變，提升電壓

2、電壓不變，F(xiàn)MB40M新推軟橋，提高電流

3、電壓、電流兩者都提高

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MSB310_ASEMI快充專用貼片整流橋

型號：MSB310

品牌：ASEMI

封裝：MSB-4

電性參數(shù)：3A 1000V

特性：貼片快充整流橋

芯片材質(zhì)：快恢復(fù)芯片

產(chǎn)品描述：快恢復(fù)軟橋/恢復(fù)整流橋

快充整流橋體積小。氮化材料本身優(yōu)異的性能，使得做出來的氮化比傳統(tǒng)硅基IGBT/MOSFET 等芯片面積更小，同時由于更耐高壓，大電流，ULBFR510新推軟橋，氮化芯片功率密度更大，新推軟橋，因此功率密度/面積遠超硅基。此外由于使用氮化芯片還減少了周邊的其他元件的使用，電容、電感、線圈等被動件比硅基方案少得多，也進一步縮小了體積。

ASEMI(圖)-FMB40M新推軟橋-新推軟橋由鼎芯實業(yè)（深圳）有限公司提供。ASEMI(圖)-FMB40M新推軟橋-新推軟橋是鼎芯實業(yè)（深圳）有限公司升級推出的，以上圖片和信息僅供參考，如了解詳情,請您撥打本頁面或圖片上的聯(lián)系電話，業(yè)務(wù)聯(lián)系人：李強。同時本公司還是從事整流橋型號參數(shù)，整流橋型號封裝，整流橋型號價格的廠家，歡迎來電咨詢。