電子元器件都有電氣參數(shù)，在選型時要給電子元器件留出足夠的余量，南通中低壓mos，才能保證電子元器件的穩(wěn)定性和長期運行。接下來簡要介紹一下三極管和MOS管的選型方法。

三極管是一種流控型器件，MOS管是壓控型器件，兩者之間有相似之處，在選擇時需要考慮耐壓、電流等參數(shù)。

1、根據(jù)耐壓選型

三極管的集電極C與發(fā)射極E之間能承受的電壓參數(shù)為V(BR)CEO，工作時CE之間的電壓不得超過規(guī)定值，否則三極管將永i久損壞。

在使用過程中，MOS管的漏極D與源極S之間也存在電壓，工作時DS兩端的電壓不能超過規(guī)定值。一般來說，MOS管的耐壓值遠高于三極管。

2、過電流能力

三極管有ICM參數(shù)，即集電極的過電流能力，MOS管的過電流能力以ID來表示。當(dāng)電流工作時，流過三極管/MOS管的電流不能超過規(guī)定值，否則器件將會被燒壞。

考慮到工作穩(wěn)定性，一般要留出30%-50%，甚至更多的余量。

3、工作溫度

商業(yè)級芯片：一般范圍在0到 70℃；

工業(yè)級芯片:一般范圍在-40到 85℃；

軍i工級芯片：一般范圍在-55℃到 150℃；

在進行MOS管選型時，要根據(jù)產(chǎn)品的使用場合選擇合適的芯片。

4、根據(jù)開關(guān)頻率選擇

三極管和MOS管都有開關(guān)頻率/響應(yīng)時間的參數(shù)。如果用于高頻電路中，必須考慮開關(guān)管的響應(yīng)時間是否符合使用條件。

5、其他選型條件

例如，MOS管的導(dǎo)通電阻Ron參數(shù)、MOS管的VTH開啟電壓等。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，中低壓mos廠家，在LED及小家電等消費類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，中低壓mos價格，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好。場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，中低壓mos萬芯半導(dǎo)體，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。

在一般電子電路中，通常被用于放大電路或開關(guān)電路。而在主板上的電源穩(wěn)壓電路中，MOSFET扮演的角色主要是判斷電位，它在主板上常用“Q”加數(shù)字表示。

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mos管，是在集成電路里的帶有絕緣性的場效應(yīng)管。MOS 管作為半導(dǎo)體領(lǐng)域基礎(chǔ)的器件之一，不管是在板級電路的應(yīng)用上，還是IC的設(shè)計里，都十分廣泛。MOS管的drain和source是可以相互調(diào)換過來的的，都是在P型backgate里形成的一個N型區(qū)。在普遍的情況下，這兩個區(qū)都是相同的，就算這兩段相互調(diào)換過來也是不會去影響到器件的性能。所以這器件被認(rèn)為是對稱的。

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