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公司成立于2013年7月,專注從事單片機的應用開發(fā)及生產(chǎn),并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售,在LED及小家電等消費類電子產(chǎn)品上應用廣泛,為您量身定制適合的芯片方案。
無論是NMOS或是PMOS,寧海2090mos,導通后都會有導通電阻,使得電流在電阻上耗費一定的電能,這種耗費叫做導通耗損。這時我們只要挑選導通電阻小的MOS管就可以減少導通耗損,如今的小功率MOS管導通電阻一般也就幾十毫歐的樣子,甚至幾毫歐的都有。MOS在導通和截至的情況下,并不是在一瞬間完成的。
MOS兩邊的電壓有一個降低的過程,流過的電流則有一個升高的過程,在這段時間內,電壓和電流相乘即是MOS管的損耗大小。一般開關的損耗要比導通的損耗要大很多,并且要是開關頻率越高,損耗就越大。導通瞬間的電壓和電流相乘的數(shù)值越大,導致其損耗也越大。如果我們能減少開關時間,就能夠減少每次導通時的損耗,減少開關的頻率,也就能夠減少一定時間內開關的頻次,從而做到減少開關損耗。
發(fā)熱情況有:
1.電路設計的問題,就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài),而不是在開關狀態(tài)。這也是導致MOS管發(fā)熱的一個原因。如果N-MOS做開關,G級電壓要比電源高幾V,WP2090mos,才能完全導通,P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗,等效直流阻抗比較大,壓降增大,所以U*I也增大,損耗就意味著發(fā)熱。這是設計電路的非常忌諱的錯誤。
2.頻率太高,主要是有時過分追求體積,導致頻率提高,MOS管上的損耗增大了,所以發(fā)熱也加大了。
3.沒有做好足夠的散熱設計,電流太高,MOS管標稱的電流值,一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于大電流,也可能發(fā)熱嚴重,需要足夠的輔助散熱片。
4.MOS管的選型有誤,對功率判斷有誤,MOS管內阻沒有充分考慮,導致開關阻抗增大。
公司成立于2013年7月,專注從事單片機的應用開發(fā)及生產(chǎn),并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售,在LED及小家電等消費類電子產(chǎn)品上應用廣泛,2090mos廠家,為您量身定制適合的芯片方案。
場效應管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體,2090mos公司,所以FET管的GATE電流非常小。普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管,或,金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)。因為MOS管更小更省電,所以他們已經(jīng)在很多應用場合取代了雙極型晶體管。
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