面說說三極管的飽和情況.像上面那樣的圖,因?yàn)槭艿诫娮?Rc的限制(Rc是固定值,那么最大電流為U/Rc,其中U為電源電壓),集電極電流是不能無限增加下去的.當(dāng)基極電流的增大,不能使集電極電流繼續(xù)增大 時(shí),三極管就進(jìn)入了飽和狀態(tài).一般判斷三極管是否飽和的準(zhǔn)則是：Ib*β〉Ic.進(jìn)入飽和狀態(tài)之后,三極管的集電極跟發(fā)射極之間的電壓將很小,可以理解為 一個(gè)開關(guān)閉合了.這樣我們就可以拿三極管來當(dāng)作開關(guān)使用：當(dāng)基極電流為0時(shí),三極管集電極電流為0(這叫做三極管截止),相當(dāng)于開關(guān)斷開;當(dāng)基極電流很 大,以至于三極管飽和時(shí),相當(dāng)于開關(guān)閉合.如果三極管主要工作在截止和飽和狀態(tài),那么這樣的三極管我們一般把它叫做開關(guān)管。MOSFET 集成度高、功耗低、開關(guān)速度快，在數(shù)字電路和功率電子領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)明顯。深圳st場(chǎng)效應(yīng)管特點(diǎn)

絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管中的MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）是目前應(yīng)用為的一種場(chǎng)效應(yīng)管。它具有制造工藝簡(jiǎn)單、集成度高、性能穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)。MOSFET可以分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。增強(qiáng)型MOSFET在柵極電壓為零時(shí)處于截止?fàn)顟B(tài)，只有當(dāng)柵極電壓高于一定閾值時(shí)才導(dǎo)通；耗盡型MOSFET在柵極電壓為零時(shí)已經(jīng)有一定的導(dǎo)電溝道，當(dāng)柵極電壓為負(fù)時(shí)可以使溝道變窄甚至截止。MOSFET的這些特性使其在各種電子設(shè)備中都有著廣泛的應(yīng)用，如手機(jī)、平板電腦、電視等。深圳MOS場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管柵極電壓為零時(shí)已有導(dǎo)電溝道，可調(diào)節(jié)溝道寬度控制電流。

場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試判定:柵極用萬用表黑表筆碰觸管子的一個(gè)電極，紅表筆分別碰觸另外兩個(gè)電極。若兩次測(cè)出的阻值都很小，說明均是正向電阻，該管屬于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，黑表筆接的也是柵極。制造工藝決定了場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極是對(duì)稱的，可以互換使用，并不影響電路的正常工作，所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。  注意不能用此法判定絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極。因?yàn)檫@種管子的輸入電阻極高，柵源間的極間電容又很小，測(cè)量時(shí)只要有少量的電荷，就可在極間電容上形成很高的電壓，容易將管子損壞。

場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試和篩選也是非常重要的環(huán)節(jié)。在生產(chǎn)過程中，需要對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行各種測(cè)試，如直流參數(shù)測(cè)試、交流參數(shù)測(cè)試、可靠性測(cè)試等。通過測(cè)試，可以篩選出性能良好、質(zhì)量可靠的場(chǎng)效應(yīng)管，確保產(chǎn)品的質(zhì)量和性能。同時(shí)，在使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，也需要進(jìn)行適當(dāng)?shù)臏y(cè)試和調(diào)試，以確保場(chǎng)效應(yīng)管在電路中的正常工作。在汽車電子領(lǐng)域，場(chǎng)效應(yīng)管也有著廣泛的應(yīng)用。例如，在汽車發(fā)動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng)中，場(chǎng)效應(yīng)管被用于控制燃油噴射、點(diǎn)火等功能。在汽車電子穩(wěn)定系統(tǒng)中，場(chǎng)效應(yīng)管則作為功率開關(guān)，實(shí)現(xiàn)對(duì)制動(dòng)系統(tǒng)的控制。此外，場(chǎng)效應(yīng)管還可以用于汽車音響、導(dǎo)航等系統(tǒng)中。隨著汽車電子技術(shù)的不斷發(fā)展，場(chǎng)效應(yīng)管在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用也將越來越。新型碳化硅和氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管耐壓高、開關(guān)速度快、導(dǎo)通電阻低。

場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET分類MOSFET分為兩大類：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET起到的作用相當(dāng)于一個(gè)開關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時(shí)，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻，稱為導(dǎo)通電阻RDS（ON）。必須清楚MOSFET的柵極是個(gè)高阻抗端，因此，總 是要在柵極加上一個(gè)電壓。如果柵極為懸空，器件將不能按設(shè)計(jì)意圖工作，并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r(shí)刻導(dǎo)通或關(guān)閉，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗。當(dāng)源極和柵極間的電 壓為零時(shí)，開關(guān)關(guān)閉，而電流停止通過器件。雖然這時(shí)器件已經(jīng)關(guān)閉，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流，即IDSS。由于柵極電流幾乎為零，場(chǎng)效應(yīng)管在靜態(tài)時(shí)的功耗極低，有助于降低整個(gè)電子系統(tǒng)的能耗，提高能源利用效率。深圳MOS場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)

場(chǎng)效應(yīng)管在測(cè)試和篩選中需進(jìn)行電氣性能和可靠性測(cè)試，保證質(zhì)量。深圳st場(chǎng)效應(yīng)管特點(diǎn)

場(chǎng)效應(yīng)管具有許多出色的性能特點(diǎn)。首先，其輸入電阻極高，可達(dá)數(shù)百兆歐甚至更高。這意味著它對(duì)輸入信號(hào)的電流要求極小，從而減少了信號(hào)源的負(fù)擔(dān)。其次，場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很低。在對(duì)噪聲敏感的應(yīng)用中，如高精度測(cè)量?jī)x器和通信設(shè)備，這一特點(diǎn)使其成為理想的選擇。再者，場(chǎng)效應(yīng)管的熱穩(wěn)定性較好。在高溫環(huán)境下，其性能相對(duì)穩(wěn)定，不易出現(xiàn)因溫度升高而導(dǎo)致的性能下降。例如，在醫(yī)療設(shè)備中，場(chǎng)效應(yīng)管的低噪聲和高穩(wěn)定性有助于精確檢測(cè)和處理生理信號(hào)。 深圳st場(chǎng)效應(yīng)管特點(diǎn)