公司成立于2013年7月，專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開(kāi)發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

  就目前的半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展來(lái)說(shuō)，MOS管是作為半導(dǎo)體行業(yè)里基礎(chǔ)的器件之一，無(wú)論是在集成電路設(shè)計(jì)里，還是在板級(jí)電路的應(yīng)用上都是十分廣泛的。目前尤其是在大功率半導(dǎo)體行業(yè)里，各種結(jié)構(gòu)不同種類的MOS管更是發(fā)揮著不可i替代的作用。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開(kāi)發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

現(xiàn)階段在行業(yè)應(yīng)用層面，WP3080mos，排名頭一個(gè)的是消費(fèi)類電子器件適配器商品。而按照對(duì)MOS管的主要用途掌握，需求MOS管排名在第二的是計(jì)算機(jī)主板、NB、計(jì)算機(jī)電源適配器、LCD顯示器等商品。在伴隨著基本國(guó)情的發(fā)展趨勢(shì)，計(jì)算機(jī)主板、計(jì)算機(jī)電源適配器、LCD顯示器對(duì)MOS管的要求有要超出消費(fèi)類電子器件適配器的狀況了。

MOS管FET柵源保護(hù)：

1）避免 柵極 di/dt 過(guò)高

因?yàn)檫x用驅(qū)動(dòng)集成ic，其輸出阻抗較低，直推功率管會(huì)造成推動(dòng)的功率管迅速的開(kāi)啟和斷連，有可能導(dǎo)致功率管漏源極間的工作電壓波動(dòng)，或是有可能導(dǎo)致功率管遭到過(guò)高的 di/dt 而造成誤通。為預(yù)防以上問(wèn)題的產(chǎn)生，臺(tái)州3080mos，一般在 MOS 控制器的導(dǎo)出與 MOS 管的柵極中間串連一個(gè)電阻器，電阻器的尺寸一般選擇幾十歐母。

2）避免 柵源極間過(guò)壓

因?yàn)闁艠O與源極的特性阻抗很高，漏極與源極間的工作電壓基因突變會(huì)根據(jù)極間電容藕合到柵極而造成非常高的柵源頂i峰工作電壓，此工作電壓會(huì)使非常薄的柵源空氣氧化層穿透，與此同時(shí)柵極非常容易累積正電荷也會(huì)使柵源空氣氧化層穿透，因此，要在 MOS 管柵極串聯(lián)穩(wěn)壓極管以限定柵極工作電壓在穩(wěn)壓極管值下，保護(hù) MOS 管不被穿透。

3）安全防護(hù)漏源極中間過(guò)壓

盡管漏源擊穿電壓 VDS 一般都非常大，3080mos萬(wàn)芯半導(dǎo)體，但假如漏源極不用保護(hù)電路，一樣有可能由于器件電源開(kāi)關(guān)一瞬間電流量的基因突變而造成漏極頂i峰工作電壓，從而毀壞 MOS 管，功率管電源開(kāi)關(guān)速率越快，造成的過(guò)壓也就越高。為了更好地避免器件毀壞，一般選用齊納二極管鉗位和 RC 緩存電路等保護(hù)對(duì)策。

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