原裝150度高溫存儲(chǔ)器

北京啟爾特石油科技新到一批150度高溫存儲(chǔ)器，此款存儲(chǔ)器存儲(chǔ)容量256kb，溫度可到175度，很多客戶采用串聯(lián)方式使用，適用于隨鉆儀器及其他石油測井勘探領(lǐng)域，感興趣的客戶，歡迎來電咨詢！

EEPROM與閃存存儲(chǔ)器：技術(shù)的成熟使得RAM和ROM之間的界限變得很模糊，如今有一些類型的存儲(chǔ)器(如EEPROM和閃存)組合了兩者的特性。這些器件像RAM一樣進(jìn)行讀寫，現(xiàn)貨150度存儲(chǔ)器參數(shù)，并像ROM一樣在斷電時(shí)保持?jǐn)?shù)據(jù)，150度存儲(chǔ)器，它們都可電擦除且可編程，但各自有它們優(yōu)缺點(diǎn)。從軟件角度看，獨(dú)立的EEPROM和閃存器件是類似的，兩者主要差別是EEPROM器件可以逐字節(jié)地修改，而閃存器件只支持扇區(qū)擦除以及對被擦除單元的字、頁或扇區(qū)進(jìn)行編程。對閃存的重新編程還需要使用SRAM，因此它要求更長的時(shí)間內(nèi)有更多的器件在工作，從而需要消耗更多的電池能量。設(shè)計(jì)工程師也必須確認(rèn)在修改數(shù)據(jù)時(shí)有足夠容量的SRAM可用。存儲(chǔ)器密度是決定選擇串行EEPROM或者閃存的另一個(gè)因素。市場上可用的獨(dú)立串行EEPROM器件的容量在128KB或以下，獨(dú)立閃存器件的容量在32KB或以上。

150度大容量存儲(chǔ)器價(jià)格

北京啟爾特石油科技新到一批145度、150度、175度、210度、225度高溫存儲(chǔ)器，原裝150度存儲(chǔ)器參數(shù)，美國原廠進(jìn)口，耐高溫，性能穩(wěn)定，各種容量都有，適用于隨鉆儀器及其他石油測井勘探領(lǐng)域，感興趣的客戶，歡迎來電咨詢！

鐵電存儲(chǔ)技術(shù)早在1921年提出，貼片150度存儲(chǔ)器參數(shù)，直到1993年美國Ramtron國際公司成功早開發(fā)出4K位的鐵電存儲(chǔ)器FRAM產(chǎn)品，目前所有的FRAM產(chǎn)品均由Ramtron公司制造或授權(quán)。近幾年，F(xiàn)RAM又有新的發(fā)展，采用了0.35 um工藝，推出了3V產(chǎn)品，開發(fā)出"單管單容"存儲(chǔ)單元的FRAM，密度可達(dá)256K位。

 

現(xiàn)貨150度高溫存儲(chǔ)器

北京啟爾特石油科技新到一批145度、150度、175度、210度、225度高溫存儲(chǔ)器，美國原廠進(jìn)口，耐高溫，性能穩(wěn)定，各種容量都有，適用于隨鉆儀器及其他石油測井勘探領(lǐng)域，感興趣的客戶，歡迎來電咨詢！

存儲(chǔ)器的單元

存儲(chǔ)器的“單元”（Cell）是指用來存取資料的結(jié)構(gòu)，如果含有一個(gè)晶體管（Transistor）與一個(gè)電容（Capacitor）則稱為“1T1C”；如果含有一個(gè)晶體管（Transistor）與一個(gè)電阻（Resistor）則稱為“1T1R”；如果含有一個(gè)二極體（Diode）與一個(gè)電阻（Resistor）則稱為“1D1R”。

存儲(chǔ)器的每個(gè)“單元”不一定只能儲(chǔ)存 1 個(gè)位的資料，由于我們對存儲(chǔ)器容量的要求越來越高，每個(gè)“單元”能儲(chǔ)存的資料越來越多，依照每個(gè)“單元”能儲(chǔ)存的資料位數(shù)又分為：單層單元（Single-Level Cell，SLC）、多層單元（Multi-Level Cell，MLC）、三層單元（Triple-Level Cell，TLC）、四層單元（Quad-Level Cell，QLC）等。

 

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