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測(cè)井175度高溫晶振
根據(jù)油(氣)層、煤層或其他探測(cè)目標(biāo)與周圍介質(zhì)在電性上的差異,采用下井裝置沿鉆孔剖面記錄巖層的電阻率、電導(dǎo)率、介電常數(shù)及自然電位的變化。
電法測(cè)井包括以下幾種:
① 電阻率測(cè)井使用簡(jiǎn)單的下井裝置(電極系)探測(cè)巖層電阻率,以研究巖層的電性特征。由于影響因素較多,其測(cè)量結(jié)果稱為視電阻率。電阻率測(cè)井按其電極系的組合及排列方式不同,又分為梯度電極系測(cè)井及電位電極系測(cè)井
。② 微電極測(cè)井在電阻率測(cè)井的基礎(chǔ)上發(fā)展了微電極測(cè)井。它用于測(cè)量靠近井壁附近很小一部分泥餅和沖洗帶地層的電阻率,230度進(jìn)口直插晶振頻率,能較準(zhǔn)確地指示泥餅的存在及劃分滲透性地層,能區(qū)分儲(chǔ)集層中的薄夾層(非滲透層)以及準(zhǔn)確地確定地層厚度。
③ 側(cè)向測(cè)井是一種聚焦電阻率測(cè)井方法,直插晶振,主要用于高電阻、薄地層及鹽水泥漿測(cè)井。根據(jù)同性電相斥的原理,在供電電極(又稱主電極)的上方和下方裝有聚焦電極,用聚焦電流控制主電流路徑,使它只沿側(cè)向(垂直井軸方向)流入地層。由于側(cè)向測(cè)井電極系結(jié)構(gòu)不同(如雙側(cè)向電極系的淺側(cè)向電極系和深側(cè)向電極系),聚焦電流對(duì)主電流的屏蔽作用大小不同,因而它們具有不同的徑向探測(cè)深度。
④ 感應(yīng)測(cè)井是一種探測(cè)地層電導(dǎo)率的測(cè)井方法。該方法根據(jù)電磁感應(yīng)原理,測(cè)量地層中渦流的次生電磁場(chǎng)在接收線圈中產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì),以確定地層的電導(dǎo)率。它是淡水泥漿井和油基泥漿井有效的一種測(cè)井方法。同時(shí)它特別適用于低電阻率巖層的探測(cè),包括離子導(dǎo)電的含高礦化度地層水的油(氣)、水層和電子導(dǎo)電的金屬礦層。
⑤ 介電測(cè)井是探測(cè)巖石介電常數(shù)的一種測(cè)井方法。由于水的介電常數(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于油(氣)和造巖礦物的介電常數(shù),所以它可用于判斷油田開(kāi)發(fā)中出現(xiàn)的水淹層,并提供估計(jì)油層殘余油飽和度及含水量多少的可能性。
150度晶振
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不起振。上電復(fù)位后晶振不工作或是低功耗模式下晶振不工作,但是敲擊一下晶振又會(huì)正常起振。此即晶振的欠激勵(lì)現(xiàn)象,原因在于激勵(lì)功率不夠或起振時(shí)間太長(zhǎng)。解決方法是選擇能耗小的晶體,同時(shí)在數(shù)據(jù)手冊(cè)允許范圍內(nèi)減少外接電容值,縮短起振時(shí)間,電容取值不要相同。
175度直插晶振
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晶片切割:
晶振中的組成部分為水晶振子,它是由水晶晶體按一定的法則切割而成的,又稱晶片.
常用晶片的形狀有三種:圓形,方形,SMT(方形,但比較小)
晶片的切割可分為AT-CUT,BT-CUT, CT-CUT, DT-CUT, FT-CUT,測(cè)井150度直插晶振頻率, XT-CUT, YT-CUT,如圖7所示.它是以光軸(Z軸)為參考而命名,每種切法對(duì)應(yīng)一個(gè)角度.采用何種切法應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況而定,如對(duì)溫度特性要求較好則應(yīng)采用AT-CUT,如果對(duì)晶振要求的頻率較高時(shí)則采用BT-CUT.晶片的切割方式、幾何形狀、尺寸等決定了晶振的頻率.
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