低溫漂200度晶振

北京啟爾特石油科技主營石油測井高溫電子元件，150度-300度各個溫度檔元器件齊全，旗下自主研發(fā)的150度、175度晶振晶體，經(jīng)過168小時高溫測試，質(zhì)量好，可靠性高，年老化率低，溫漂小，是目前國內(nèi)唯能做到175度高溫晶振晶體的廠家，客戶覆蓋率廣，如國內(nèi)各大油田旗下測井公司，中國電子科技集團，航天科工等單位，感興趣的用戶，直插晶振，歡迎致電咨詢。

晶振不起振問題歸納1、物料參數(shù)選型錯誤導(dǎo)致晶振不起振

例如：某MCU需要匹配6PF的32.768KHz，結(jié)果選用12.5PF的，導(dǎo)致不起振。

解決辦法：更換符合要求的規(guī)格型號。必要時請與MCU原廠或者我們確認(rèn)。

2、內(nèi)部水晶片或損壞導(dǎo)致不起振

運輸過程中損壞、或者使用過程中跌落、撞擊等因素造成晶振內(nèi)部水晶片損壞，從而導(dǎo)致晶振不起振。

解決辦法：更換好的晶振。平時需要注意的是：運輸過程中要用泡沫包厚一些，避免中途損壞;制程過程中避免跌落、重壓、撞擊等，一旦有以上情況發(fā)生禁止再使用。

3、振蕩電路不匹配導(dǎo)致晶振不起振

影響振蕩電路的三個指標(biāo)：頻率誤差、負(fù)性阻抗、激勵電平。

頻率誤差太大，導(dǎo)致實際頻率偏移標(biāo)稱頻率從而引起晶振不起振。

解決辦法：選擇合適的PPM值的產(chǎn)品。

負(fù)性阻抗過大太小都會導(dǎo)致晶振不起振。

解決辦法：負(fù)性阻抗過大，可以將晶振外接電容Cd和Cg的值調(diào)大來降低負(fù)性阻抗;負(fù)性阻抗太小，測井200度直插晶振頻率，則可以將晶振外接電容Cd和Cg的值調(diào)小來增大負(fù)性阻抗。一般而言，負(fù)性阻抗值應(yīng)滿足不少于晶振標(biāo)稱阻抗3-5倍。

激勵電平過大或者過小也將會導(dǎo)致晶振不起振

解決辦法：通過調(diào)整電路中的Rd的大小來調(diào)節(jié)振蕩電路對晶振輸出的激勵電平。一般而言，激勵電平越小越好，處理功耗低之外，還跟振蕩電路的穩(wěn)定性和晶振的使用壽命有關(guān)。

175度高溫晶振

北京啟爾特石油近期推出QET系列175度高溫晶振，高溫晶振175度，環(huán)境溫度可達175度。廣泛用于石油測井，船舶制造、航空航天領(lǐng)域。打破了美國Q-Tech公司的技術(shù)壟斷優(yōu)勢.是目前國內(nèi)能夠做出150度以上高溫晶振的廠家。經(jīng)廣大客戶使用鑒定，產(chǎn)品性能非常穩(wěn)定，老化率低，生產(chǎn)周期通常為2周左右，并且可以根據(jù)客戶需求定制。如下是常用型號，公司備有大量現(xiàn)貨。

1.晶振作用:給單片機正常工作提供穩(wěn)定的時鐘信號。原理:在石英晶體的兩個極板上加一個電場，晶片會產(chǎn)生機械變形，對極板施加機械力使其變形，又會在極板上產(chǎn)生相應(yīng)的電荷，這叫壓電效應(yīng)。如果在兩個極板上加上交變的電壓，晶片便會產(chǎn)生機械變形震蕩，同時這種機械震蕩還會產(chǎn)生交變的電場(比較的微小)，但是當(dāng)外加交變的電壓的頻率與晶片固有的頻率(由其形狀和尺寸決定)相等時，機械振動的幅度會加劇，產(chǎn)生交變電場也增大。叫做壓電諧波。

2.即使去掉晶振，電路照樣的能振蕩，并且如果把那兩個電容改成可調(diào)電容的話也能得到想要的某個頻率，測井175度直插晶振頻率，那還要晶振干什么:晶振、陶瓷諧振槽路、RC振蕩器以及硅振蕩器是適用于微控制器的四種時鐘源。針對具體應(yīng)用優(yōu)化時鐘源設(shè)計依賴于以下因素:成本、精度和環(huán)境參數(shù)。RC振蕩器能夠快速啟動，成本也比較低，但通常在整個溫度和工作電源電壓范圍內(nèi)精度較差，會在標(biāo)稱輸出頻率的5%至50%范圍內(nèi)變化;但相對RC振蕩器而言，基于晶振與陶瓷諧振槽路的振蕩器通常能提供非常高的初始精度和較低的溫度系數(shù)。

175度高溫晶體振蕩器

175度高溫晶體振蕩器，可以根據(jù)客戶需求做成三種封裝，貼片5*7，全尺寸四角直插，半尺寸封裝。

我司主營石油測井高溫電子元件，旗下自主研發(fā)的JFY-175度晶振晶體，經(jīng)過168小時高溫測試，質(zhì)量可靠，常用頻率和特殊頻率都有，如8MHZ，24.576MHZ，32.768MHZ，16.384MHZ，3.579545MHZ，4.9152MHZ等。是目前國內(nèi)能做到175度高溫晶振晶體的廠家，我司還供應(yīng)150度高溫單片機，150度以上高溫存儲器，150度以上高溫電容電阻等，如有需要，歡迎來電！

選擇振蕩器時還需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內(nèi)部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，HC04反相器門電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時，相當(dāng)于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負(fù)載電容，整個電源電流為2.2mA。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負(fù)載電容，相應(yīng)地也需要更多的電流。相比之下，200度進口直插晶振頻率，晶振模塊一般需要電源電流為10mA ~60mA。硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能，范圍可以從低頻(固定)器件的幾個微安到可編程器件的幾個毫安。一種低功率的硅振蕩器，如MAX7375，工作在4MHz時只需不到2mA的電流。在特定的應(yīng)用場合優(yōu)化時鐘源需要綜合考慮以下一些因素:精度、成本、功耗以及環(huán)境需求。

測井175度直插晶振頻率-直插晶振-北京啟爾特(查看)由北京啟爾特石油科技有限公司提供。行路致遠(yuǎn)，砥礪前行。北京啟爾特石油科技有限公司致力成為與您共贏、共生、共同前行的戰(zhàn)略伙伴，更矢志成為集成電路具有競爭力的企業(yè)，與您一起飛躍，共同成功!同時本公司還是從事150度高溫存儲器，高溫150度存儲器，測井勘探175度存儲器的廠家，歡迎來電咨詢。