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150度存儲器簡介
在一個過程與SPI管理器聯(lián)接之前,145度高溫進(jìn)口存儲器公司,當(dāng)前存儲器環(huán)境是上層執(zhí)行器環(huán)境,200度進(jìn)口存儲器公司,所以所有由過程自身通過 palloc/repalloc 或通過SPI 應(yīng)用函數(shù)在聯(lián)接到SPI 管理器之前分配的存儲器都在這個環(huán)境里.
在進(jìn)行SPI_connect 調(diào)用之后,當(dāng)前環(huán)境是過程自身所有的.通過 palloc/repalloc 或通過SPI 應(yīng)用函數(shù)分配的存儲器(除了SPI_copytuple,SPI_modifytuple,SPI_palloc 和SPI_repalloc 以外)都在這個環(huán)境中分配.
當(dāng)進(jìn)程與 SPI 管理器斷開(通過調(diào)用SPI_finish)后,當(dāng)前環(huán)境恢復(fù)為上層執(zhí)行器環(huán)境并且所有在過程存儲器環(huán)境分配的存儲器都被釋放,并且不可繼續(xù)使用!
如果你想返回一些東西給上層執(zhí)行器,那么你必須為此在上層環(huán)境分配一片存儲器!
SPI 不能自動釋放在上層執(zhí)行器環(huán)境里分配的存儲器!
SPI 在查詢完成后自動釋放查詢執(zhí)行期間的存儲器分配!
210度存儲器現(xiàn)貨
EEPROM與閃存
從軟件角度看,進(jìn)口存儲器,獨(dú)立的EEPROM和閃存器件是類似的,兩者主要差別是EEPROM器件可以逐字節(jié)地修改,而閃存器件只支持扇區(qū)擦除以及對被擦除單元的字、頁或扇區(qū)進(jìn)行編程。對閃存的重新編程還需要使用SRAM,因此它要求更長的時間內(nèi)有更多的器件在工作,從而需要消耗更多的電池能量。設(shè)計(jì)工程師也必須確認(rèn)在修改數(shù)據(jù)時有足夠容量的SRAM可用。
供應(yīng)150度存儲器
存儲器密度是決定選擇串行EEPROM或者閃存的另一個因素。市場上可用的獨(dú)立串行EEPROM器件的容量在128KB或以下,獨(dú)立閃存器件的容量在32KB或以上。
如果把多個器件級聯(lián)在一起,可以用串行EEPROM實(shí)現(xiàn)高于128KB的容量。很高的擦除/寫入耐久性要求促使設(shè)計(jì)工程師選擇EEPROM,因?yàn)榈湫偷拇蠩EPROM可擦除/寫入100萬次。閃存一般可擦除/寫入1萬次,只有少數(shù)幾種器件能達(dá)到10萬次。
今天,大多數(shù)閃存器件的電壓范圍為2.7V到3.6V。如果不要求字節(jié)尋址能力或很高的擦除/寫入耐久性,在這個電壓范圍內(nèi)的應(yīng)用系統(tǒng)采用閃存,可以使成本相對較低。
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