負(fù)性光刻膠

負(fù)性光刻膠

    負(fù)性光刻膠分為粘性增強負(fù)性光刻膠、加工負(fù)性光刻膠、剝離處理用負(fù)性光刻膠三種。

    A、粘性增強負(fù)性光刻膠

    粘性增強負(fù)膠的應(yīng)用是在設(shè)計制造中替代基于聚異戊二烯雙疊氮的負(fù)膠。粘性增強負(fù)膠的特性是在濕刻和電鍍應(yīng)用時的粘附力；很容易用光膠剝離器去除，厚度范圍是﹤0.1 ～ 120.0 μm，可在i、g以及h-line波長曝光。

    粘性增強負(fù)膠對生產(chǎn)量的影響，消除了基于溶液的顯影和基于溶液沖洗過程的步驟。呼吸器：無論何時在工作環(huán)境下呼吸保護必須遵循中國職業(yè)安全健康管理局標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定和ANSI美國國家標(biāo)準(zhǔn)學(xué)會Z88。優(yōu)于傳統(tǒng)正膠的優(yōu)勢：控制表面形貌的優(yōu)異帶寬、任意甩膠厚度都可得到筆直的側(cè)壁、具有一次旋涂即可獲得100 μm甩膠厚度、厚膠層同樣可得到優(yōu)越的分辨率、150 ℃軟烘烤的應(yīng)用可縮短烘烤時間、優(yōu)異的光速度進而增強曝光通量、更快的顯影，100 μm的光膠顯影僅需6 ～ 8分鐘、光膠曝光時不會出現(xiàn)光膠氣泡、可將一個顯影器同時應(yīng)用于負(fù)膠和正膠、不必使用粘度增強劑。

    i線曝光用粘度增強負(fù)膠系列：NP9–250P、NP9–1000P、NP9–1500P、NP9–3000P、NP9–6000P、NP9–8000、NP9–8000P、NP9–20000P。

    g和h線曝光用粘度增強負(fù)膠系列：NP9G–250P、NP9G–1000P、NP9G–1500P、NP9G–3000P、NP9G–6000P、NP9G–8000。

    B、加工負(fù)膠

    加工負(fù)膠的應(yīng)用是替代用于RIE加工及離子植入的正膠。加工負(fù)膠的特性在RIE加工時優(yōu)異的選擇性以及在離子植入時優(yōu)異的溫度阻抗，厚度范圍是﹤0.1 ～ 120.0 μm，可在i、g以及h-line波長曝光。

    加工負(fù)膠優(yōu)于正膠的優(yōu)勢是控制表面形貌的優(yōu)異帶寬、任意甩膠厚度都可得到筆直的側(cè)壁、具有一次旋涂即可獲得100 μm甩膠厚度、厚膠層同樣可得到優(yōu)越的分辨率、150 ℃軟烘烤的應(yīng)用可縮短烘烤時間、優(yōu)異的光速度進而增強曝光通量、更快的顯影，100 μm的光膠顯影僅需6 ～ 8分鐘、光膠曝光時不會出現(xiàn)光膠氣泡、可將一個顯影器同時應(yīng)用于負(fù)膠和正膠、優(yōu)異的溫度阻抗直至180 ℃、在反應(yīng)離子束刻蝕或離子減薄時非常容易地增加能量密度，從而提高刻蝕速度和刻蝕通量、非常容易進行高能量離子減薄、不必使用粘度促進劑。2μmResistThicknessNR71-1000PY0。

    用于i線曝光的加工負(fù)膠系列：NR71-250P、NR71-350P、NR71-1000P、NR71-1500P、NR71-3000P、NR71-6000P、NR5-8000。

市場規(guī)模

中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)穩(wěn)定增長，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向中國轉(zhuǎn)移。據(jù)WSTS和SIA統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2016年中國半導(dǎo)體市場規(guī)模為1659.0億美元，增速達(dá)9.2%，大于全球增長速度（1.1%）。2016年中國半導(dǎo)體制造用光刻膠市場規(guī)模為19.55億元，其配套材料市場規(guī)模為20.24億元。預(yù)計2017和2018年半導(dǎo)體制造用光刻膠市場規(guī)模將分別達(dá)到19.76億元和23.15億元，其配套材料市場規(guī)模將分別達(dá)到22.64億元和29.36億元?；瘜W(xué)結(jié)構(gòu)特殊、保密性強、用量少、純度要求高、生產(chǎn)工藝復(fù)雜、品質(zhì)要求苛刻，生產(chǎn)、檢測、評價設(shè)備投資大，技術(shù)需要長期積累。在28nm生產(chǎn)線產(chǎn)能尚未得到釋放之前，ArF光刻膠仍是市場主流半導(dǎo)體應(yīng)用廣泛，需求增長持續(xù)性強。近些年來，全球半導(dǎo)體廠商在中國大陸投設(shè)多家工廠，如臺積電南京廠、聯(lián)電廈門廠、英特爾大連廠、三星電子西安廠、力晶合肥廠等。諸多半導(dǎo)體工廠的設(shè)立，也拉動了國內(nèi)半導(dǎo)體光刻膠市場需求增長。

NR9-3000PYNR94 8000PY光刻膠廠家

2,涂膠，在硅片覆蓋，旋轉(zhuǎn)，離心力，在硅片表面通過旋轉(zhuǎn)的光刻膠，工藝參數(shù)3000-6000rpm   膠膜厚0.5-1um， 

3,前烘，通過在較高溫度下進行烘焙，使存底表面涂覆的光刻膠膜的溶劑揮發(fā)，溶劑將至5%左右，同時增強與襯底的粘附性。前烘方法：熱平板傳導(dǎo)，干燥循環(huán)熱風(fēng)提高附著力，紅外線輻射。

烘箱前烘條件：90-100度，10-20min，前烘時間與溫度應(yīng)適當(dāng)，如太長或溫度太高，光刻膠層變脆而附著力下降，而前烘不足會影響后面的顯影效果。