真空鍍膜設(shè)備檢漏環(huán)節(jié),你都會(huì)了嗎?

新人來公司報(bào)道，前期都要進(jìn)行嚴(yán)格的真空鍍膜設(shè)備撿漏培訓(xùn)，后期還要經(jīng)過公司傳幫帶的方式來幫助新人快速成長，為什么公司對撿漏培訓(xùn)如此重視和嚴(yán)格，下面小編為大家講解真空鍍膜設(shè)備撿漏的重要性：真空鍍膜設(shè)備檢漏是保證真空鍍膜設(shè)備真空度的一項(xiàng)檢查措施，簡稱檢漏，真空度的高低是直接影響到鍍膜效果的，如果撿漏有紕漏，必然會(huì)造成或大或小的損失，由此得不償失，所以機(jī)器在運(yùn)作過程中檢漏環(huán)節(jié)是必不可少的。經(jīng)驗(yàn)豐富的技術(shù)人員都知道，撿漏產(chǎn)生的原因一般都是真空室內(nèi)漏氣都是從室壁上的一些小孔或部件之前的連接位細(xì)縫中產(chǎn)生，當(dāng)抽氣系統(tǒng)抽氣后使真空室內(nèi)壓強(qiáng)下降，外部與內(nèi)部的壓強(qiáng)差使氣體從壓強(qiáng)高的外部流向壓強(qiáng)低的真空室內(nèi)，造成真空度下降。

影響蒸鍍氧化硅類蒸鍍薄膜性能的因素

響蒸鍍氧化硅類蒸鍍薄膜性能的因素有：被蒸鍍的基膜、蒸鍍方法、蒸鍍工藝條件對蒸鍍氧化硅薄膜性能的影響等。

①塑料薄膜的類型：蒸鍍的氧化硅膜與塑料薄膜之間的黏合牢度，與塑料基膜種類之間有較大的關(guān)系，PET、PVC等極性較大的薄膜與氧化硅之間的黏合性較佳，而非極性的薄膜與氧化硅之間的黏合力則比較差。

②塑料薄膜表面狀態(tài)：蒸鍍氧化硅類蒸鍍薄膜的阻隔性，除了受蒸鍍層的厚度影響之外，更大程度上取決于氧化硅鍍層的均勻性。裂縫、等缺欠，會(huì)導(dǎo)致蒸鍍氧化硅類蒸鍍薄膜的阻隔性明顯下降，缺陷的形成除了蒸鍍層本身的化學(xué)成分與結(jié)構(gòu)之外，所用基膜的表面平滑性也是一個(gè)重要因素，粗糙度越大，越容易造成蒸鍍?nèi)毕?，但適量的粗糙度，會(huì)使蒸鍍層和基膜的表面之間形成物理錨接，改善層間黏合力。

③塑料薄膜的表面預(yù)處理狀況：為了得到的蒸鍍薄膜，對基膜進(jìn)行適度的表面電暈處理是十分必要的。塑料薄膜經(jīng)過表面電暈處理，可在其表面形成氧化層，增大基膜與蒸鍍涂層之間的結(jié)合力。在預(yù)處理設(shè)備一定的情況下，如果預(yù)處理時(shí)間不足，表面改性不充分，基膜與涂層之間的結(jié)合牢度不理想；預(yù)處理時(shí)間過長，則可能引起基膜較深層次的界面弱化，產(chǎn)生基膜自身的弱界面層，引起整個(gè)材料的結(jié)合力下降。

真空鍍膜設(shè)備中頻磁控濺射知識(shí)

真空鍍膜設(shè)備中頻磁控濺射知識(shí) 源分平衡和非平衡式，平衡式靶源鍍膜均勻，非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結(jié)合力強(qiáng)。平衡靶源多用于半導(dǎo)體光學(xué)膜，非平衡多用于磨損裝飾膜。 不管平衡非平衡，若磁鐵靜止，其磁場特性決定一般靶材利用率小于30%。為增大靶材利用率，可采用旋轉(zhuǎn)磁場。但旋轉(zhuǎn)磁場需要旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，同時(shí)濺射速率要減小。旋轉(zhuǎn)磁場多用于大型或貴重靶。如半導(dǎo)體膜濺射。對于小型設(shè)備和一般工業(yè)設(shè)備，多用磁場靜止靶源。 用磁控靶源濺射金屬和合金很容易，點(diǎn)火和濺射很方便。這是因?yàn)榘校帢O），等離子體，和被濺零件真空腔體可形成回路。但若濺射絕緣體如陶瓷則回路斷了。于是人們采用高頻電源，回路中加入很強(qiáng)的電容。這樣在絕緣回路中靶材成了一個(gè)電容。