溫度對微弧氧化的影響

       微弧氧化與陽極氧化不同，所需溫度范圍較寬。一般為10—90度。微弧氧化電源因電壓要求較高(一般在510—700V之間)，需專門定制。溫度越高，成膜越快，但粗糙度也增加。且溫度高，會形成水氣。一般建議在20—60度。由于微弧氧化以熱能形式釋放，所以液體溫度上升較快，微弧氧化過程須配備容量較大的熱交換制冷系統(tǒng)以控制槽液溫度。所以微弧氧化過程中一定要控制好溫度。微弧、微弧氧化、微弧氧化技術(shù)、微弧氧化電源

微弧氧化電解液組成及工藝條件

　     微弧氧化電解液組成：K2SiO3 5～10g/L，Na2O2 4～6g/L，NaF 0.5～1g/L，CH3COONa 2～3g/L，Na3VO3 1～3g/L；處于熱等離子態(tài)的物質(zhì)具有強的導電性，且能量集中，溫度較高，是一個高熱、高溫的能源。溶液pH為11～13；溫度為20～50℃；陰極材料為不銹鋼板；電解方式為先將電壓迅速上升至300V，并保持5～10s，然后將陽極氧化電壓上升至450V，電解5～10min。

       兩步電解法，靠前步：將鋁基工件在200g/L的鉀水玻璃水溶液中以1A/dm2的陽極電流氧化5min；第二步：將經(jīng)靠前步微弧氧化后的鋁基工件水洗后在70g/L的Na3P2O7水溶液中以1A/dm2的陽極電流氧化15min。陰極材料為：不銹鋼板；微弧氧化的工藝參數(shù)微弧氧化的工藝參數(shù)是指加工件上的外加電壓，一般說最終電壓決定微弧氧化膜的厚度，它是不斷升高而達到的，不能一次性加至最終電壓。溶液溫度為20～度為20～50℃微弧氧化電源、微弧氧化技術(shù)、微弧氧化生產(chǎn)線

微弧氧化技術(shù)的優(yōu)勢

       采用微弧氧化技術(shù)對鋁鎂鈦等輕金屬及其合金材料進行表面強化處理，微弧氧化處理后的鋁基表面陶瓷膜層具有硬度高，耐蝕性強，絕緣性好，膜層與基底金屬結(jié)合力強，并具有很好的耐磨和耐熱沖擊等性能。微弧氧化電解液電解液抗污染能力強和再生重復使用率高，因而對環(huán)境污染小，區(qū)別于傳統(tǒng)的電鍍非常環(huán)保，也符合我國可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略的需要。如，航空、航天、汽車、船舶、機械、石油、化工、醫(yī)用、電子等行業(yè)。微弧氧化技術(shù)、微弧氧化生產(chǎn)線、微弧氧化電源、微弧氧化工藝

微弧氧化技術(shù)應用前景

      微弧氧化技術(shù)具有很多優(yōu)點，如工藝簡單、不引入有毒物，符合當今清潔生產(chǎn)發(fā)展的要求，對要處理的零件形狀沒有特殊要求，特別是對異型零件、孔洞、焊縫的可加工能力強于其他表面陶瓷化工藝，因此微弧氧化技術(shù)在軍事、航空、航天、鐵路、機械、紡織、汽車、、電子、裝飾等許多領(lǐng)域有廣泛的應用前景。采用微弧氧化技術(shù)所制備的陶瓷膜同時具備了陽極氧化膜和陶瓷噴涂層兩者的優(yōu)點，可以部分替代陽極氧化膜和陶瓷噴涂的產(chǎn)品。微弧氧化的工藝研究主要集中在電流密度、電解液組成、電源模式、基材成分等工藝因素對氧化膜的厚度、結(jié)構(gòu)與性能的影響方面。