真空鍍膜機(jī)的結(jié)構(gòu)與工作原理介紹

一、真空鍍膜機(jī)的結(jié)構(gòu)：

真空卷繞鍍膜機(jī)由真空罐、真空抽氣系統(tǒng)、蒸發(fā)系統(tǒng)、卷繞系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)及電氣系統(tǒng)組成。

真空罐是整臺真空鍍膜設(shè)備的主體部件，其結(jié)構(gòu)為圓柱形筒體，左端為圓形封頭封閉，右端的法蘭與卷繞車的大圓板對接實現(xiàn)密封。

外部聯(lián)接抽氣管道，內(nèi)部空間用于在真空狀態(tài)中鍍制產(chǎn)品，分為上下室，上室是基材卷繞室，下室是鋁絲蒸發(fā)鍍膜室。

二、真空鍍膜機(jī)的工作原理：

真空罐的正面中上部裝有可供觀察基材運(yùn)行情況和觀察鍍層質(zhì)量的長方形觀察窗，正面中下部裝有可供觀察送絲情況和蒸發(fā)舟加熱狀態(tài)的長方形觀察窗，同時還裝有可供觀察收料軸、放料軸運(yùn)轉(zhuǎn)狀況的圓形視窗各一個。

真空罐的背面中下部開有一方形的蒸發(fā)鍍膜室抽氣口，尾部圓封頭處開有一圓形的卷繞室抽氣口。真空罐的底部裝有水箱，用于罐體的冷卻，頂部裝有真空測量規(guī)管用于測量真空室內(nèi)的壓力。

真空鍍膜設(shè)備的正常工作條件

真空鍍膜設(shè)備主要指一類需要在較高真空度下進(jìn)行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。

那么，真空鍍膜設(shè)備的正常工作條件有哪些？我們一起來看看吧：

1、環(huán)境溫度：10~30℃

2、相對濕度：不大于70%

3、冷卻水進(jìn)水溫度：不高于25℃

4、冷卻水質(zhì)：城市自來水或質(zhì)量相當(dāng)?shù)乃?

5、供電電壓：380V，三相50Hz或220V，單相50Hz（由所用電器需要而定），電壓波動范圍342~399V或198V~231V，頻率波動范圍49~51Hz；

6、設(shè)備所需的壓縮空氣、液氮、冷熱水等壓力、溫度、消耗量均應(yīng)在產(chǎn)品使用說明書上寫明。

7、設(shè)備周圍環(huán)境整潔、空氣清潔，不應(yīng)有可引起電器及其他金屬件表面腐蝕或引起金屬間導(dǎo)電的塵埃或氣體存在。

此外，真空鍍膜設(shè)備所在實驗室或車間應(yīng)保持清潔衛(wèi)生。而且地面為水磨石或木質(zhì)涂漆地面、無塵埃。為防止機(jī)械泵工作時排出的氣體對實驗室環(huán)境的污染，可采用在泵的排氣口上面裝設(shè)排氣管道（金屬、橡膠管）的辦法，將氣體排出室外。

真空鍍膜機(jī)鍍膜技術(shù)和濕式鍍膜技術(shù)

隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，真空鍍膜技術(shù)成為了各行各業(yè)提高產(chǎn)品質(zhì)量的手段，真空鍍膜所需費(fèi)用較低經(jīng)濟(jì)效益顯著讓越來越多的企業(yè)躍躍欲試，我國生產(chǎn)的真空鍍膜機(jī)已經(jīng)達(dá)到了相當(dāng)水平，可以鍍制的真空鍍膜材料也越來越多，但和國外的設(shè)備對比也存在著一點(diǎn)差距，對于真空技術(shù)的研發(fā)有待提高。

真空鍍膜技術(shù)的膜材選材廣泛，可以控制膜的厚度并鍍制不同功能和性能的薄膜，就能使材料具備許多新的化學(xué)和物理性能。濕式鍍膜技術(shù)是過去的一種鍍膜方式，即化學(xué)鍍或者電鍍，是應(yīng)用化學(xué)還原的原理沉積在材料上，這種方法會產(chǎn)生廢液污染環(huán)境，以往很多電鍍設(shè)備廠因為污染問題紛紛轉(zhuǎn)變鍍膜工藝。

真空鍍膜技術(shù)鍍制的薄膜，膜層不易受到污染，在真空環(huán)境中可以提高純度和致密性，不產(chǎn)生廢液不污染環(huán)境。真空鍍膜本身污染，但是實際鍍制中會用到有機(jī)涂料，所以也會產(chǎn)生污染，然而相比濕式電鍍技術(shù)，污染小很多，真空鍍膜技術(shù)生產(chǎn)具有很強(qiáng)的生命力，但也不是說真空鍍膜技術(shù)就可以完全取代傳統(tǒng)的濕式鍍膜技術(shù)了，在膜層的厚度，耐老化上濕式鍍膜法仍然占據(jù)優(yōu)勢，真空鍍膜鍍制的膜層比較薄。

另外，牢固的膜層是受工藝和附著力所影響，不管是真空鍍膜技術(shù)還是濕式鍍膜技術(shù)，如果材料表面沒有清潔干凈都會影響膜層和材料的結(jié)合。