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陶瓷電容和瓷片電容有區(qū)別嘛,同方迪一為你解答
陶瓷電容:陶瓷電容用高介電常數(shù)的電容器陶瓷〈鈦鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤(pán)作為介質(zhì),并用燒滲法將銀鍍?cè)谔沾缮献鳛殡姌O制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器,用于高穩(wěn)定振蕩回路中,作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用,或?qū)Ψ€(wěn)定性和損耗要求不高的場(chǎng)合〈包括高頻在內(nèi)〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中,因?yàn)樗鼈円子诒幻}沖電壓擊穿。
二者聯(lián)系和區(qū)別:瓷片電容的高頻特性好,但電容值*大只能做到0.1uF。瓷片電容也屬于陶瓷電容的一種。瓷片電容的在識(shí)別上與電阻的識(shí)別方法基本相同,分直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法3種。以上就是同方迪一整理出來(lái)的資訊,同方迪一制造陶瓷電容和瓷片電容,為你提供好的CG電容產(chǎn)品。
高壓瓷片電容燒壞的原因介紹
一:潮濕對(duì)電參數(shù)惡化的影響??諝庵袦囟冗^(guò)高, 會(huì)使高壓瓷片電容的表面絕緣電阻下降, 對(duì)于半密封結(jié)構(gòu)電容器來(lái)說(shuō),水分會(huì)滲透到電容器的介質(zhì)內(nèi)部使電容器介質(zhì)的絕緣電阻絕緣能力下降。因此,高溫,高濕環(huán)境對(duì)瓷片電容的損壞影響較大。
二:銀離子的遷移。無(wú)機(jī)介質(zhì)電容器多半采用銀電極,半密封電容器在高溫條件下工作,滲入電容器內(nèi)部的水分子產(chǎn)生電解。產(chǎn)生氧化反應(yīng),銀離子與氫氧根離子結(jié)合產(chǎn)生氫氧化銀。由于電極反應(yīng),銀離子遷移不僅發(fā)生在無(wú)機(jī)介質(zhì)表面,還擴(kuò)散到無(wú)機(jī)介質(zhì)內(nèi)部,引起漏電流增大,嚴(yán)重時(shí)會(huì)使兩個(gè)銀電極之間完全短路,導(dǎo)致高壓瓷片電容損壞或擊穿。
三:有的高壓瓷片電容,在運(yùn)用測(cè)試操作時(shí),電容器投入時(shí)的電流過(guò)大,無(wú)任何無(wú)電壓保護(hù)措施,也無(wú)串聯(lián)電抗器,使電容器過(guò)熱,絕緣降低或損壞,如果操作頻繁,也會(huì)影響陶瓷電容損壞,甚至炸掉。
四:從單顆瓷片電容分析,電容碰到了強(qiáng)大的電流,導(dǎo)致內(nèi)部材料發(fā)熱,散熱不及時(shí),造成熱擊穿損壞。
高壓瓷片電容制造工藝要點(diǎn)有哪些呢??
高壓瓷片電容制造工藝要點(diǎn)有哪些呢?
高壓瓷片電容是以介電陶瓷為核心材料的環(huán)氧樹(shù)脂灌封的電容器。隨著時(shí)代有進(jìn)步與科技發(fā)展,高壓瓷片電容主要是指交流工作電壓1KV以上的電容器,或者直流工作電壓達(dá)到40KV以上的陶瓷電容器。高壓瓷片電容制造工藝要點(diǎn)有哪些呢?
1、熔塊的制備
熔塊的制備質(zhì)量對(duì)瓷料的球磨細(xì)度和燒成有很大的影響,如熔塊合成溫度偏低,則合成不充分,對(duì)后續(xù)工藝不利。
2、原料要精選
影響高壓陶瓷電容器質(zhì)量的因素,除瓷料組成外,優(yōu)化工藝制造、嚴(yán)格工藝條件是非常重要的。因此,對(duì)原料既要考慮成本又要注意純度,選擇工業(yè)純?cè)蠒r(shí),須注意原料的適用性。
3、燒成工藝
應(yīng)嚴(yán)格控制燒成制度,采取性能優(yōu)良的控溫設(shè)備及導(dǎo)熱性良好的窯具。
選購(gòu)瓷片電容的技巧
選購(gòu)瓷片電容的技巧
如何選購(gòu)瓷片電容呢,教大家一些方法,希望可以幫助到你。
在購(gòu)買(mǎi)瓷片電容時(shí)要先考慮的是耐壓?jiǎn)栴}而不是容量,如果一個(gè)瓷片電容的兩端的電壓超過(guò)了它的額定電壓,產(chǎn)品就會(huì)被擊穿損壞,導(dǎo)致失效,甚至連累更多的元器件,所以考慮耐壓?jiǎn)栴}非常重要。
瓷片電容的電壓分檔為300V,400V,500V,1KV,2KV等,瓷片電容的耐壓分檔為1800V,4000V等,在耐壓?jiǎn)栴}解決之后在選擇產(chǎn)品的容量,瓷片電容容量單位一般用微法(uf)表示如1uF=1微法,大多數(shù)電容的大小為0.1至0.01μF左右。1微法(μF)=1000納法(nF)=1000000皮法(pF),在選購(gòu)時(shí)一定要有足夠的容量來(lái)進(jìn)行使用。