在芯片制造領(lǐng)域，光刻機(jī)和蝕刻機(jī)一直是芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵。在業(yè)界有個(gè)形象的比喻，光刻機(jī)是芯片制造的魂，蝕刻機(jī)是芯片制造的魄，如果要想制造的芯片，這兩個(gè)東西都必須。

而在光刻機(jī)方面，與世界的7nm制程都相去甚遠(yuǎn)。不管三星、英特爾還是臺(tái)積電在芯片制程工藝方面如何去競爭，但ASML終究是背后霸主，贏家，因?yàn)樗麄冋l都離不開他的EUV光刻機(jī)。而國產(chǎn)光刻機(jī)還在路上，目前我國已經(jīng)能夠使用365納米波長的光生產(chǎn)22納米工藝的芯片，這在全世界尚無先例，它也被稱為世界上首臺(tái)分辨力的紫外超分辨光刻裝備。這也意味著國產(chǎn)光刻機(jī)可以使用低成本光源，實(shí)現(xiàn)了更高分辨力的光刻。

光刻技術(shù)，重頭戲是物理技術(shù)，光刻的前道工序如涂膠，后道如顯影，都是化學(xué)技術(shù)，對(duì)機(jī)器要求不算高。唯獨(dú)曝光工序才是難的，其中難又在于光刻機(jī)，也就是一只巨型單反相機(jī)，其光源和鏡頭，還有控制技術(shù)估計(jì)已經(jīng)是人類的極限了，巨難做?？涛g說得形象點(diǎn)就是沿著曝光圖形刻槽，化學(xué)成分比較大，并不算十分關(guān)鍵的設(shè)備，我朝的刻蝕機(jī)技術(shù)還是很不錯(cuò)的。

陰極上的反映是電解水溶液中的氧化性化學(xué)物質(zhì)如氫氧根離子、氧原子或金屬正離子等在陰極上獲得電子器件，轉(zhuǎn)變成氡氣溶解或轉(zhuǎn)化成氫氧根空氣負(fù)離子或金屬?zèng)_積物粘附在陰極上，因而陰極反映是各種各樣氧化反應(yīng)的結(jié)果。其電極反應(yīng)以下：2H 2e→H2↑2H20 02 4e→40H-M ne ne→M↓ 從上能夠看見，電解蝕刻關(guān)鍵是運(yùn)用電流量加速蝕刻部位金屬的溶解，而并不是有機(jī)化學(xué)蝕刻那般要添加各種各樣防腐劑，非常是催速劑。在某類標(biāo)準(zhǔn)下還將會(huì)一面將蝕刻的金屬溶解，另一方面又能將溶解的金屬在陰極上堆積而收購。從平面圖6—7上能夠看見電解蝕刻必須有專用型的電解機(jī)器設(shè)備、電氣系統(tǒng)及配電設(shè)備設(shè)備，在操作過程時(shí)，也要有掛具和裝卸搬運(yùn)工作等。

蝕刻機(jī)、金屬蝕刻機(jī)、金屬腐蝕機(jī)應(yīng)用范圍:

適用于、金屬標(biāo)牌，薄板金屬電子零部件（如手機(jī)金屬按鍵面板、金屬網(wǎng)片、精密過濾網(wǎng)等）加工制造。蝕刻精度：根據(jù)制版而定 制版0.2微米

蝕刻機(jī)（金屬蝕刻機(jī)、腐蝕機(jī)）特點(diǎn)：

1、采用傳動(dòng)裝置，霧化噴淋，結(jié)構(gòu)合理；加工尺寸長度不限制，速度快、精度高；

2、使用方便：有效地設(shè)計(jì)噴淋與被蝕刻金屬板的有效面積和蝕刻均勻程度；蝕刻效果、速度和操作者的環(huán)境及方便程度等方面都有改善；藥液使用充分，大大降低生產(chǎn)成本；

3、蝕刻速度在傳統(tǒng)蝕刻法上大大提高：經(jīng)反復(fù)實(shí)驗(yàn)噴射壓力在1-2 kg/cm2的情況下被蝕刻工件上所殘留的蝕刻圬漬能被有效清處掉

4、可根據(jù)客戶要求，有針對(duì)的定制非標(biāo)尺寸和性能：如搖擺式、窗式、抽拉式、轉(zhuǎn)盤式、曲面式、傾斜面式、冷卻（空調(diào)冷卻或加水循環(huán)冷卻）等

5、可組配蝕刻線：顯影機(jī)、蝕刻機(jī)、退膜機(jī)

6、批量標(biāo)牌制作流水作業(yè)：配備自動(dòng)烘干烤箱，自動(dòng)雙面顯影機(jī)，自動(dòng)上色機(jī)，制版機(jī)，電鍍機(jī)。