氮化鈦的物理性質(zhì)：熔點2950.6～3205.8℃，線膨脹系數(shù)為5.712～7.053×106(1/K)(25℃)，密度為5.435～5.447g/cm3，熱導(dǎo)率為25.081(W·m-1·K-1)(300～2000℃)，莫氏硬度為8～9。一般情況下，氮化鈦粉末的顏色為黃褐色，顏色為黑色的是超細氮化鈦粉末，顏色為黃色的是氮化鈦晶體，大量聚集的氮化鈦晶體有金黃色金屬光澤。

氮化鈦的化學(xué)性質(zhì)：比較穩(wěn)定，與水和酸（鹽酸和硫酸）等均不發(fā)生反應(yīng)，但它能融入氫fu酸，若氫fu酸中含有氧化劑，則氮化鈦會完全溶解在氫fu酸中。氮化鈦溶解在強堿溶液中會分解并釋放出氨氣。 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制

因此，如果要防止蒸發(fā)粒子的大量散射，在真空蒸發(fā)鍍膜設(shè)備中，真空鍍膜室的起始真空度必須高于10-2Pa。由于殘余氣體在蒸鍍過程中對膜層的影響很大，因此分析真空室內(nèi)殘余氣體的來源，借以消除殘余氣體對薄膜質(zhì)量的影響是重要的。真空室中殘余氣體分子的來源主要是真空鍍膜室內(nèi)表面上的解吸放氣、蒸發(fā)源釋放的氣體、抽氣系統(tǒng)的返流以及設(shè)備的漏氣等原因所造成的。若鍍膜設(shè)備的結(jié)構(gòu)設(shè)計及制造良好，則真空抽氣系統(tǒng)的返流及設(shè)備的漏氣并不會造成嚴重的影響。 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制

殘余氣體分子撞擊著真空室內(nèi)的所有表面，包括正在生長著的膜層表面。在室溫和10-4Pa壓力下的空氣環(huán)境中，形成單一分子層吸附所需的時間只有2.2s?？梢?，在蒸發(fā)鍍膜過程中，如果要獲得高純度的膜層，必須使膜材原子或分子到達基片上的速率大于殘余氣體到達基片上的速率，只有這樣才能制備出純度好的膜層。這一點對于活性金屬材料基片更為重要，因為這些金屬材料的清潔表面的粘著系數(shù)均接近于1。在10-2Pa～10-4Pa壓力下蒸發(fā)時，膜材蒸汽分子與殘余氣體分子到達基片上的數(shù)量大致相等，這必將影響制備的膜層質(zhì)量。 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制

在信息存儲領(lǐng)域中薄膜材料作為信息記錄于存儲介質(zhì)，有其得天獨厚的優(yōu)勢：由于薄膜很薄，可以忽略渦流損耗；磁化反轉(zhuǎn)極為迅速；與膜面平行的雙穩(wěn)態(tài)狀態(tài)容易保持等。為了更精密地記錄與存儲信息，必然要采用鍍膜技術(shù)。13.在傳感器方面在傳感器中，多采用那些電氣性質(zhì)相對于物理量、化學(xué)量及其變化來說，極為敏感的半導(dǎo)體材料。此外，其中，大多數(shù)利用的是半導(dǎo)體的表面、界面的性質(zhì)，需要盡量增大其面積，且能工業(yè)化、低價格制作，因此，采用薄膜的情況很多。14.在集成電路制造中晶體管路中的保護層（SiO2、Si3N4）、電極管線（多晶硅、鋁、銅及其合金）等，多是采用CVD技術(shù)、PVCD技術(shù)、真空蒸發(fā)金屬技術(shù)、磁控濺射技術(shù)和射頻濺射技術(shù)?？梢?，氣相沉積是制備集成電路的核心技術(shù)之一。 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制