陽極氧化鋁板化學拋光中出現(xiàn)的缺陷及其糾正措施是在生產(chǎn)的發(fā)展過程中不斷總結完善的。 光亮度不足。這是化學拋光中較關心的事情。光亮度沒有達到預期的目標，其原因可從特殊鋁材的生產(chǎn)工藝和化學拋光工藝這兩方面分析。有關特殊鋁材的生產(chǎn)工藝已經(jīng)有詳細的論述。建議采用鋁純度99.70%及其以上級別的鋁錠，來生產(chǎn)特殊鋁材；鋁材加工工藝中質量控制為化學拋光得到高光亮度表面奠定基礎?；瘜W拋光后，具有很高的光亮度。槽液控制中含量不足，會使表面光亮度不足，其表面可能過多地附著一層銅；含量太高，鋁材表面形成彩虹膜，會使表面模糊或不透明，還引起光亮度不足；化學拋光時間不足，溫度不夠，攪拌不充分，槽液老化等也會使化學拋光表面光亮度不足。槽液的相對密度較大，防止鋁材浮出拋光槽液的液面，致使上部鋁材光亮度不足。水的影響造成光亮度不足，往往容易被忽視。較好用干燥的鋁材進入化學拋光槽液，杜絕水分的帶入。

注意事項根據(jù)我公司長時間對拋光工藝的摸索與實踐，光亮劑在拋光液中幾乎消耗相當細微，因此時視具體的情況配比補加光亮劑，新配拋光溶液拋光時間要短；溫度偏高時，拋光時間要短些，若拋光2min以上仍不光亮時，可觀察拋光時液面泡沫的多少，酌情添加光亮劑，泡沫少時可按適當比例添加部份光亮劑，泡沫多時只要按比例加入磷酸和硫酸即可。生產(chǎn)一段時間后的溶液呈乳白色且粘度大，所以化學拋光后的產(chǎn)品需要反復清洗，否則酸液殘留于工件表面將會導致表面產(chǎn)生白霜點。

依據(jù)機械加工原理、半導體材料工程學、物力化學多相反應多相催化理論、表面工程學、半導體化學基礎理論等，對硅單晶片化學機械拋光（CMP）機理、動力學控制過程和影響因素研究標明，化學機械拋光是一個復雜的多相反應，它存在著兩個動力學過程：（1）拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進行氧化還原的動力學過程。這是化學反應的主體。（2）拋光表面反應物脫離硅單晶表面，即解吸過程使未反應的硅單晶重新出來的動力學過程。它是控制拋光速率的另一個重要過程。硅片的化學機械拋光過程是以化學反應為主的機械拋光過程，要獲得質量好的拋光片，必須使拋光過程中的化學腐蝕作用與機械磨削作用達到一種平衡。如果化學腐蝕作用大于機械拋光作用，則拋光片表面產(chǎn)生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機械磨削作用大于化學腐蝕作用，則表面產(chǎn)生高損傷層。