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發(fā)布時(shí)間:2021-09-30 12:21  






光刻膠介紹

光刻膠介紹

光刻膠是一種對(duì)光線、溫度、濕度十分敏感的材料,可以在光照后發(fā)生化學(xué)性質(zhì)的改變,這是整個(gè)工藝的基礎(chǔ)。

光刻膠有不同的類型,PMMAPMGI)以及DNQ(酚醛樹(shù)脂)等材料都可以做光刻膠。

 目前光刻膠市場(chǎng)上的參與者多是來(lái)自于美國(guó)、日本、韓國(guó)等國(guó)家,包括 FUTURREX、陶氏化學(xué)、杜邦、富士膠片、信越化學(xué)、住友化學(xué)、LG化學(xué)等等,中國(guó)公司在光刻膠領(lǐng)域也缺少核心技術(shù)。

 


市場(chǎng)規(guī)模

中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)穩(wěn)定增長(zhǎng),全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向中國(guó)轉(zhuǎn)移。據(jù)WSTS和SIA統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù),2016年中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為1659.0億美元,增速達(dá)9.2%,大于全球增長(zhǎng)速度(1.1%)。2016年中國(guó)半導(dǎo)體制造用光刻膠市場(chǎng)規(guī)模為19.55億元,其配套材料市場(chǎng)規(guī)模為20.24億元。預(yù)計(jì)2017和2018年半導(dǎo)體制造用光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將分別達(dá)到19.76億元和23.15億元,其配套材料市場(chǎng)規(guī)模將分別達(dá)到22.64億元和29.36億元。常規(guī)光刻膠涂布工序的優(yōu)化需要考慮滴膠速度、滴膠量、轉(zhuǎn)速、環(huán)境溫度和濕度等,這些因素的穩(wěn)定性很重要。在28nm生產(chǎn)線產(chǎn)能尚未得到釋放之前,ArF光刻膠仍是市場(chǎng)主流半導(dǎo)體應(yīng)用廣泛,需求增長(zhǎng)持續(xù)性強(qiáng)。近些年來(lái),全球半導(dǎo)體廠商在中國(guó)大陸投設(shè)多家工廠,如臺(tái)積電南京廠、聯(lián)電廈門(mén)廠、英特爾大連廠、三星電子西安廠、力晶合肥廠等。諸多半導(dǎo)體工廠的設(shè)立,也拉動(dòng)了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)需求增長(zhǎng)。


PCB穩(wěn)定

PCB被譽(yù)為'電子產(chǎn)品',廣泛應(yīng)用于各個(gè)電子終端。2016年,全球PCB市場(chǎng)規(guī)模達(dá)542.1億美元。國(guó)外研究機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè),PCB市場(chǎng)年復(fù)合增長(zhǎng)率可達(dá)3%,到2020年,PCB全球市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到610億美元;中國(guó)在2020年P(guān)CB產(chǎn)值有望達(dá)到311億美元,在2015-2020年期間,年復(fù)合增長(zhǎng)率略高于國(guó)際市場(chǎng),為3.5%。三、光刻膠涂覆(PhotoresistCoating)光刻膠涂覆通常的步驟是在涂光刻膠之前,先在900-1100度濕氧化。得益于PCB行業(yè)發(fā)展剛需,我國(guó)PCB光刻膠需求空間巨大。



全球市場(chǎng)

目前,光刻膠單一產(chǎn)品市場(chǎng)規(guī)模與海外巨頭公司營(yíng)收規(guī)模相比較小,光刻膠僅為大型材料廠商的子業(yè)務(wù)。但由于光刻膠技術(shù)門(mén)檻高,就某一光刻膠子行業(yè)而言,僅有少數(shù)幾家供應(yīng)商有產(chǎn)品供應(yīng)。

由于光刻膠產(chǎn)品技術(shù)要求較高,中國(guó)光刻膠市場(chǎng)基本由外資企業(yè)占據(jù),國(guó)內(nèi)企業(yè)市場(chǎng)份額不足40%,高分辨率的KrF和ArF光刻膠,其核心技術(shù)基本被日本和美國(guó)企業(yè)所壟斷,產(chǎn)品也基本出自日本和美國(guó)公司,包括陶氏化學(xué)、JSR株式會(huì)社、信越化學(xué)、東京應(yīng)化工業(yè)、Fujifilm,以及韓國(guó)東進(jìn)等企業(yè)。芯片光刻的流程詳解(二)所謂光刻,根據(jù)維基百科的定義,這是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個(gè)重要步驟,該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫(huà)幾何圖形結(jié)構(gòu),然后通過(guò)刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所在襯底上。

而細(xì)化到半導(dǎo)體用光刻膠市場(chǎng),國(guó)內(nèi)企業(yè)份額不足30%,與國(guó)際水平存在較大差距。超過(guò)80%市場(chǎng)份額掌握在日本住友、TOK、美國(guó)陶氏、美國(guó)futurrex等公司手中,國(guó)內(nèi)公司中,蘇州瑞紅與北京科華實(shí)現(xiàn)了部分品種的國(guó)產(chǎn)化,但是整體技術(shù)水平較低,僅能進(jìn)入8英寸集成電路生產(chǎn)線與LED等產(chǎn)線。從對(duì)準(zhǔn)原理上及標(biāo)記結(jié)構(gòu)分類,對(duì)準(zhǔn)技術(shù)從早期的投影光刻中的幾何成像對(duì)準(zhǔn)方式,包括視頻圖像對(duì)準(zhǔn)、雙目顯微鏡對(duì)準(zhǔn)等,一直到后來(lái)的波帶片對(duì)準(zhǔn)方式、干涉強(qiáng)度對(duì)準(zhǔn)、激光外差干涉以及莫爾條紋對(duì)準(zhǔn)方式。


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