微弧氧化原理

       微弧氧化或等離子體電解氧化表面陶瓷化技術(shù)，是指在普通陽(yáng)極氧化的基礎(chǔ)上，微弧氧化技術(shù) 利用弧光放電增強(qiáng)并ji活在陽(yáng)極上發(fā)生的反應(yīng)，從而在以鋁、鈦、鎂等金屬及其合金為材料的工件表面形成的強(qiáng)化陶瓷膜的方法，微弧氧化電源是通過(guò)用的微弧氧化電源在工件上施加電壓，微弧氧化使工件表面的金屬與電解質(zhì)溶液相互作用，在工件表面形成微弧放電，在高溫、電場(chǎng)等因素的作用下，金屬表面形成陶瓷膜，達(dá)到工件表面強(qiáng)化的目的。微弧氧化電解液組成及工藝條件微弧氧化電解液組成：K2SiO35～10g/L，Na2O24～6g/L，NaF0。

影響微弧氧化的因素

（1）微弧氧化對(duì)鋁材要求不高，不管是含銅或是含硅的難以陽(yáng)極氧化鋁合金，只要閥金屬比例占到40%以上，均可用于微弧氧化，且能得到理想膜層。

（2）表面狀態(tài)一般不需要經(jīng)過(guò)拋光處理，對(duì)于粗糙的表面，經(jīng)過(guò)微弧氧化，可修復(fù)的平整光滑；對(duì)于粗糙度低（即光滑）的表面，則會(huì)增加粗糙度。

工件材質(zhì)及表面狀態(tài)對(duì)微弧氧化會(huì)有一定的影響，所以一定要引起注意。微弧氧化生產(chǎn)線、微弧氧化電源、微弧氧化技術(shù)

微弧氧化

       微弧氧化，是在電解質(zhì)溶液中（一般是弱堿性溶液）施加高電壓（直流、交流或脈沖）在材料表面原位生長(zhǎng)陶瓷氧化膜的過(guò)程，該過(guò)程是物理放電與電化學(xué)氧化、等離子體氧化協(xié)同作用的結(jié)果。微弧氧化技術(shù)是在普通陽(yáng)極氧化技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，進(jìn)一步提高電壓，使電壓超出法拉第區(qū)，達(dá)到氧化膜的擊穿電壓，就會(huì)在陽(yáng)極出現(xiàn)火花放電現(xiàn)象，在材料表面形成陶瓷氧化膜，使等離子體氧化膜既有陶瓷膜的，又保持了陽(yáng)極氧化膜與基體的結(jié)合力。微弧氧化的工藝參數(shù)微弧氧化的工藝參數(shù)是指加工件上的外加電壓，一般說(shuō)最終電壓決定微弧氧化膜的厚度，它是不斷升高而達(dá)到的，不能一次性加至最終電壓。