.●反饋光耦供電用12V供電，且取樣點在后級濾波電感前面更好。因為濾波電感前的波動更快的反映前端PWM的調(diào)制狀態(tài)，就算TL431的開啟程度是一定的，因為12V的波動可以讓光耦上反饋到的電流有微小的差異，在反饋環(huán)路一定的情況下，這個光耦供電取樣點的選擇更有利于動態(tài)響應(yīng)和調(diào)整率的平衡控制。?！?2V繞組應(yīng)該放在更接近于初級繞組的地方。這樣更有效的確保12V的電壓變化比例更小，因為我們反饋采樣的是5V端，所以難控制的是12V的繞組。綜合這些將可以更好的控制這兩個繞組的平衡度。雖然不能做到的好，但是相對的來說是有一定參考價值的。

2、穩(wěn)壓回路：開關(guān)變壓器的N3繞組、D6、C13、C14等元件組成的24V電源，基準(zhǔn)電壓源TL1、光耦合器U2等元件構(gòu)成了穩(wěn)壓控制回路。U1芯片和1、2腳外圍元件R7、C12，也是穩(wěn)壓回路的一部分。實際上，TL1、U1組成了（相對于U1內(nèi)部電壓誤差放大器）外部誤差放大器，將輸出24V的電壓變化反饋回U1的反饋電壓信號輸入端。當(dāng)24V輸出電壓上升時，U1的2腳電壓上升，1腳電壓下降，輸出PWM脈沖占空比下降，輸出電路回落。當(dāng)輸出電壓異常上升時，U1的1腳下降為1V時，內(nèi)部保護(hù)電路動作，電路停振。


如反激一次側(cè)的高壓MOS的D、S之間距離，依據(jù)公式500V對應(yīng)0.85mm，DS電壓在700V以下是0.9mm，考慮到污染和潮濕，一般取1.2mm 54.如果TO220封裝的MOS的D腳串了磁珠，需要考慮T腳增加安全距離。 之前碰到過炸機現(xiàn)象，增加安全距離后解決了，因為磁珠容易沾上殘留物 55.發(fā)一個驗證VCC的土方法，把產(chǎn)品放低溫環(huán)境（冰箱）幾分鐘，測試VCC波形電壓有沒有觸發(fā)到芯片欠壓保護(hù)點。 小公司設(shè)備沒那么全，有興趣的可以做個對比，看看VCC差異有多大關(guān)于VCC圈數(shù)的設(shè)計需要考慮很多因素 56.在變壓器底部PCB加通風(fēng)孔，有利于散熱，小板也一樣，要考慮風(fēng)路。