無(wú)論是對(duì)于CO2激光，采用銅、鉬、硅、鍺等來(lái)制作反射鏡，采用鍺、硒化鋅作為輸出窗口和透射光學(xué)元件材料，還是對(duì)于YAG激光采用普通光學(xué)玻璃作為反射鏡、輸出鏡和透射光學(xué)元件材料，都不能達(dá)到全反射鏡的99%以上要求。不同應(yīng)用時(shí)輸出鏡有不同透過(guò)率的要求，因此必須采用光學(xué)鍍膜方法。對(duì)于CO2激光燈中紅外線波段，常用的鍍膜材料有氟化釔、氟化鐠、鍺等;對(duì)于YAG激光燈近紅外波段或可見(jiàn)光波段，常用的鍍膜材料有硫化鋅、氟化鎂、二氧化鈦、氧化鋯等。除了高反膜、增透膜之外，還可以鍍對(duì)某波長(zhǎng)增反射、對(duì)另一波長(zhǎng)增透射的特殊膜，如激光倍頻技術(shù)中的分光膜等。影響一面平面透鏡的透光度有許多成因。 次數(shù)用完API KEY 超過(guò)次數(shù)限制

在室溫(25℃)和氣體壓力為p(Pa)的條件下，殘余氣體分子的平均自由程為λ=6.65×10-1/pcm(2)由上式計(jì)算可知，在室溫下，p=10-2Pa時(shí)，λ=66.5cm，即一個(gè)分子在與其它分子發(fā)生兩次碰撞之間約飛行66.5cm。碰撞圖2是蒸發(fā)粒子在飛向基片途中發(fā)生碰撞的比例與氣體分子的實(shí)際路程對(duì)平均自由程之比值的曲線。從圖中可以看出，當(dāng)λ=L時(shí)，有63%的蒸發(fā)分子會(huì)發(fā)生碰撞。如果平均自由程增加10倍，則散射的粒子數(shù)減少到9%，因此，蒸發(fā)粒子的平均自由程必須遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于蒸距才能避免蒸發(fā)粒子在向基片遷移過(guò)程中與殘余氣體分子發(fā)生碰撞，從而有效地減少蒸發(fā)粒子的散射現(xiàn)象。目前常用的蒸發(fā)鍍膜機(jī)的蒸距均不大于50cm。 次數(shù)用完API KEY 超過(guò)次數(shù)限制

同時(shí)幾種涂層的硬度均高于HV3000，而且在高溫下可以有效的保持硬度，可以抵御高溫金屬液體對(duì)模具造成的應(yīng)力變形。有涂層公司針對(duì)此問(wèn)題研發(fā)了真空PVD鍍膜涂層前處理的新技術(shù)，結(jié)合其它表面技術(shù)和真空PVD鍍膜涂層復(fù)合作用，在改善液體金屬粘模和熱龜裂方面取得了一定的成績(jī)。例如HCVAC研發(fā)了一款設(shè)備可以在同時(shí)完成壓鑄模具的軟氮化 真空PVD鍍膜涂層，有效的解決了傳統(tǒng)涂層和氮化基體之間結(jié)合力差的問(wèn)題，進(jìn)一步提高了壓鑄模具的使用壽命。還有大多數(shù)公司則采用厚涂層的概念通過(guò)沉積足夠厚度的涂層來(lái)提高模具的使用壽命。 次數(shù)用完API KEY 超過(guò)次數(shù)限制

在信息存儲(chǔ)領(lǐng)域中薄膜材料作為信息記錄于存儲(chǔ)介質(zhì)，有其得天獨(dú)厚的優(yōu)勢(shì)：由于薄膜很薄，可以忽略渦流損耗；磁化反轉(zhuǎn)極為迅速；與膜面平行的雙穩(wěn)態(tài)狀態(tài)容易保持等。為了更精密地記錄與存儲(chǔ)信息，必然要采用鍍膜技術(shù)。13.在傳感器方面在傳感器中，多采用那些電氣性質(zhì)相對(duì)于物理量、化學(xué)量及其變化來(lái)說(shuō)，極為敏感的半導(dǎo)體材料。此外，其中，大多數(shù)利用的是半導(dǎo)體的表面、界面的性質(zhì)，需要盡量增大其面積，且能工業(yè)化、低價(jià)格制作，因此，采用薄膜的情況很多。14.在集成電路制造中晶體管路中的保護(hù)層（SiO2、Si3N4）、電極管線（多晶硅、鋁、銅及其合金）等，多是采用CVD技術(shù)、PVCD技術(shù)、真空蒸發(fā)金屬技術(shù)、磁控濺射技術(shù)和射頻濺射技術(shù)。可見(jiàn)，氣相沉積是制備集成電路的核心技術(shù)之一。 次數(shù)用完API KEY 超過(guò)次數(shù)限制