工業(yè)小型激光打標機

由于半導體泵浦的轉(zhuǎn)換，模式好，更易聚焦出高能量的更小面積的光點，標記同樣的物體時，其所需的外部能量會更小。同時其產(chǎn)生的廢熱也遠遠小于燈泵浦激光器，決定了其不需要燈泵浦激光器那樣龐大的冷卻系統(tǒng)。所以半導體泵浦的激光器系統(tǒng)的功耗比燈泵浦小得多。七十年代末八十年代初,一項嶄新的激光應用技術--激光打標技術在國際間悄然興起,并迅速得到產(chǎn)業(yè)化,成為激光加工大的應用領域之一。

一個50W的燈泵浦激光打標機的功耗在6KW左右，而一個50W半導體激光標記機的功耗只在2KW左右，以三年為例，一天工作24小時，一個月工作28天，一度工業(yè)用電1.1元，光耗電一項，一臺半導體激光器就比一臺燈泵浦激光器節(jié)?。?-2）KW*24小時*28天*12月*3年*1.1/度=10.645萬 元！CO2激光打標機：主要用于非金屬（木頭、亞克力、紙張、皮革等），價格便宜。

1“6403”高能釹玻璃激光系統(tǒng) 1964年啟動，后從技術上判定熱效應是根本性技術障礙，于1976年下馬。這一項目對發(fā)展高能激光技術有歷史貢獻是不可忽視的，它使我國激光技術的水平上了一個臺階。其成果主要表現(xiàn)在：

（1）建成了具有工程規(guī)模的大口徑（120毫米）振蕩—放大型激光系統(tǒng)，大輸出能量達32萬焦耳；改善光束質(zhì)量后達3萬焦耳。

（2）實現(xiàn)了系統(tǒng)技術集成，成功地進行了實驗，室內(nèi)10米處擊穿80毫米鋁靶，室外2公里距離擊穿0.2毫米鋁耙，并系統(tǒng)地研究了強激光輻射的生物效應和材料破壞機理。

（3）一次揭示了強光對激光系統(tǒng)本身的光損傷現(xiàn)象和機制。

（4）一次深入和理解激光光束質(zhì)量的重要性和物理內(nèi)涵，采用了一系列提高光束質(zhì)量 的性技術，如萬焦耳級非穩(wěn)腔激光器、片狀激光器、振蕩—掃瞄放大式激光系統(tǒng)、尖劈法光束質(zhì)量診斷等。

（5）激光元器件和支撐技術有了突破性提高，如低吸收高均勻性釹玻璃熔煉工藝、高能脈沖氙氣、高強度介質(zhì)膜、大口徑（1.2米）光學精密加工等。

（6）培養(yǎng)和造就 了一批技術骨干隊伍。

1.高功率激光系統(tǒng)和核聚變研究 1964年王淦昌獨立提出激光聚變倡議，1965年立項開始研究。經(jīng)幾年努力，建成了輸出功率10（上標10）瓦的納秒級激光裝置，并于1973年5月在低溫固靶、常溫化鋰靶和化聚乙烯上打出中子。1974年研制成功我國一臺多程片狀放大器，把激光輸出功率提高了10倍，中子產(chǎn)額增加了一個量級。在國際上向心壓縮原理后，積極跟蹤并于1976年研制成六束激光系統(tǒng)，對充氣玻殼靶照射，獲得了近百倍的體壓縮。光纖激光打標機特點，纖激光器分為兩大類產(chǎn)品：連續(xù)光纖激光器和脈沖光纖激光器。這一系列的重大突破，使我國的激光聚變研究進入世界先進行列，也為以后長期的持續(xù)發(fā)展奠定了基礎。

2.激光研究 1966年12月，科委主持召開了激光規(guī)劃會，48個單位130余人參加，會議制定了包括含15種激光整機、9種支撐配套技術的發(fā)展規(guī)劃。雖未正式批準生效，但仍起了有益的推動作用。此后的幾年內(nèi)，這一領域涌現(xiàn)了一批重要成果。