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發(fā)布時間:2020-07-28 06:26  






大尺寸LCD驅(qū)動IC的特點(diǎn)


大尺寸LCD驅(qū)動IC的特點(diǎn)

,高電7a6431333365643535壓工藝。模擬電路中電壓越高,驅(qū)動能力越強(qiáng),因此大尺寸LCD驅(qū)動IC采用高電壓制造工藝,通常Source Driver IC為10~12V, Gate Driver IC更高,達(dá)40V。

第二,運(yùn)行頻率高。液晶顯示器的分辨率越來越高,這就意味著掃描列數(shù)的增加, Gate Driver IC必須不斷提高開關(guān)頻率, Source Driver IC必須不斷提高掃描頻率。

第三,封裝工藝特殊。LCD驅(qū)動IC通常綁定在LCD面板上,因此厚度必須盡可能地薄,通常采用高成本的TCP封裝。還有特別追求薄的,采用COG封裝,再有就是目前正在興起的COF封裝。

第四,管腳數(shù)特別多。Gate Driver IC少256腳, Source Driver IC少384腳。



第五,單一型號出貨量特別大。GateDriverIC連結(jié)至晶體管之Gate端,負(fù)責(zé)每一列晶體管的開關(guān),掃描時一次打開一整列的晶體管。驅(qū)動IC 單月平均出貨量高達(dá)1.5億片,而其中平均每個型號的出貨量達(dá)差不多在300萬片左右。LCD 的構(gòu)造是在兩片平行的玻璃當(dāng)中放置液態(tài)的晶體,兩片玻璃中間有許多垂直和水平的細(xì)小電線,透過通電與否來控制桿狀水晶分子改變方向,將光線折射出來產(chǎn)生畫面。






IGBT的驅(qū)動電路特點(diǎn)(二)

IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。

特點(diǎn):擊穿電壓可達(dá)1200V,集電極飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上,工作頻率可達(dá)20kHz。

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫,IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,它融合了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn),既具有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn),又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn),其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi),在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越廣泛的應(yīng)用,在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。(3)大功率IGBT在關(guān)斷時,有時須加反向電壓,以防止受到干擾時誤開通。




若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓,則MOSFET導(dǎo)通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通;若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,則MOS 截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。2RCiss,式中R是輸入回路電阻,其中包括驅(qū)動電源的內(nèi)阻Ri。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件,在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓,只有在u級的漏電流流過,基本上不消耗功率。



直流電機(jī)驅(qū)動芯片應(yīng)該怎么選擇?

目前用的的一個H橋驅(qū)動芯片zd:L928N,這個芯片是很簡單,很便宜,而且很容易買到,一個芯片里面就集成了2路的H橋電路,還帶PWM控制和電流采集。ML4428控制芯片的出現(xiàn),簡化了控制電路的設(shè)計,該芯片內(nèi)部含有反電勢檢測電路、起動換向邏輯電路和保護(hù)電路,使控制器芯片只需外接少量的阻容元件就可以實(shí)現(xiàn)對直流無刷電動機(jī)的控制。電機(jī)驅(qū)動芯片是集成有CMOS 控制電路和DMOS 功率器件的芯片,利用它可以與主處理回器、電機(jī)和增量型編碼器構(gòu)成一個答完整的運(yùn)動控制系統(tǒng)。可以用來驅(qū)動直流電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)和繼電器等感性負(fù)載。




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