磁控濺射鍍膜機

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真空鍍膜機利用這種濺射方法在基體上沉積薄膜是1877年問世的。這是因為磁控濺射法可以通過正交電磁場對電子的約束，增加了電子與氣體分子的碰撞概率，這樣不但降低了加在陰極上的電壓，而且提高了正離子對靶陰極的濺射速率，減少了電子轟擊基體的概率，從而降低了它的溫度，即具備了。但是，利用這種方法沉積薄膜的初期存在著濺射速率低，成膜速度慢，并且必須在裝置上設(shè)置高壓和通入惰性氣體等一系列問題。因此，發(fā)展緩慢險些被淘汰。只是在化學(xué)活性強的金屬、難容金屬、介質(zhì)以及化合物等材料上得到了少量的應(yīng)用。直到20世紀(jì)70年代，由于磁控濺射及時的出現(xiàn)，才使濺射鍍膜得到了迅速的發(fā)展，開始走入了復(fù)興的道路。這是因為磁控濺射法可以通過正交電磁場對電子的約束，增加了電子與氣體分子的碰撞概率，這樣不但降低了加在陰極上的電壓，而且提高了正離子對靶陰極的濺射速率，減少了電子轟擊基體的概率，從而降低了它的溫度，即具備了;高速、低溫的兩大特點。到了80年代，雖然他的出現(xiàn)僅僅十幾年間，它就從實驗室中脫穎而出，真正地進入了工業(yè)大生產(chǎn)的領(lǐng)域。而且，隨著科學(xué)技術(shù)的進一步發(fā)展，近幾年來在濺射鍍膜領(lǐng)域中推出了離子束增強濺射，采用寬束強流離子源結(jié)合磁場調(diào)制，并與常規(guī)的二極濺射相結(jié)合組成了一種新的濺射模式。而且，又將中頻交流電源引入到磁控濺射的靶源中。這種被稱為孿生靶濺射的中頻交流磁控濺射技術(shù)，不但消除了陽極的;消失;效應(yīng)。而且，也解決了陰極的問題，從而極大地提高了磁控濺射的穩(wěn)定性。為化合物薄膜制備的工業(yè)化大生產(chǎn)提供了堅實的基礎(chǔ)。近年來急速鍍膜的復(fù)興與發(fā)展已經(jīng)作為人們炙手可熱的一種新興的薄膜制備技術(shù)而活躍在真空鍍膜的技術(shù)領(lǐng)域中。

濺射鍍膜機濺射鍍技術(shù)應(yīng)用

蒸發(fā)鍍應(yīng)用新型電極 引入裝置，接觸電阻小且可靠;磁控濺射應(yīng)用鍍膜材料廣泛，各種非導(dǎo)磁的金屬、合金均可作鍍料;結(jié)構(gòu)緊湊、占地面積小;磁控、蒸發(fā)共用兩臺立式工件車，操作 方便、。在基片表面生成化合物是我們的目的，在其他結(jié)構(gòu)表面生成化合物是資源的浪費，在靶表面生成化合物一開始是提供化合物原子的源泉，到后來成為不斷提供更多化合物原子的障礙。 (或雙門蒸發(fā)、磁控兩用機) 公司業(yè)務(wù)范圍真空鍍膜成套設(shè)備與技術(shù)，真空工程用各種泵、閥、真空計、油、脂、密封件，真空鍍膜材料、涂料、金屬及合金制品。真空設(shè)備故障診斷與排除、老 產(chǎn)品改造。新型塑料、金屬、玻璃等制品表面處理工藝及技術(shù)研究，咨詢服務(wù)。新技術(shù)、新設(shè)備、新工藝公司新開發(fā)的磁控、蒸發(fā)多用鍍膜機，配用改進型高真空抽 氣系統(tǒng)及全自動控制系統(tǒng)，抽速快、、操作簡單、工作可靠;具有可鍍膜系廣、膜層均勻、附著力好、基板溫度底等特點;是鍍制金屬、合金及化合物膜的理 想設(shè)備;適合鍍制透明膜、半透明膜、超硬膜、屏蔽膜及一些特殊的功能性膜。已廣泛應(yīng)用在光學(xué)、電子、通訊、航空等領(lǐng)域。

磁控濺射靶在鍍膜過程中的重要作用? ??

磁控濺射靶是真空磁控濺射鍍膜的核心部件，它的重要作用主要表現(xiàn)在以下兩個方面(1)對于大面積表面的鍍膜，磁控濺射靶影響著膜層的均勻性與重復(fù)性；(2)當(dāng)膜層材料為貴重金屬時，靶的結(jié)構(gòu)決定著靶材(形成薄膜的材料)，即該貴重金屬的利用率。

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我國真空鍍膜機行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀和前景分析

我國鍍膜機械，經(jīng)過了幾十年發(fā)展，形成了門類齊全、布局合理，品種配套，真空鍍膜技術(shù)水平與鍍膜工業(yè)發(fā)展基本適應(yīng)的體系，真空鍍膜設(shè)備已經(jīng)不能再叫新行業(yè)了，其是一個有創(chuàng)新能力的成熟行業(yè)，鍍膜技術(shù)從重污染轉(zhuǎn)為輕污染直至以后的無污染，創(chuàng)新是前提，隨著更新型節(jié)能環(huán)保的真空機械設(shè)備研發(fā)必將改變整個工業(yè)。但高頻磁控濺射電源昂貴，濺射速率很小，同時接地技術(shù)很復(fù)雜，因而難大規(guī)模采用。

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