一般集成電路都是用光刻的方法將電路集中刻制在單晶硅片上，然后接好連接引線和管角，再用環(huán)氧塑封料封裝而成。塑封料的熱膨脹率與單晶硅的越接近，集成電路的工作熱穩(wěn)定性就越好。單晶硅的熔點(diǎn)為1415℃，膨脹系數(shù)為3.5PPM，熔融石英粉的為(0.3～0.5)PPM，環(huán)氧樹(shù)脂的為(30～50)PPM，當(dāng)熔融球形石英粉以高比例加入環(huán)氧樹(shù)脂中制成塑封料時(shí)，其熱膨脹系數(shù)可調(diào)到8PPM左右，加得越多就越接近單晶硅片的，也就越好。而結(jié)晶粉俗稱生粉的熱膨脹系數(shù)為60PPM，結(jié)晶石英的熔點(diǎn)為1996℃，不能取代熔融石英粉(即熔融硅微粉)，所以中集成電路中不用球形粉時(shí)，也要用熔融的角形硅微粉。這也是球形粉想用結(jié)晶粉為近球形不能成功的原因所在。效果不行，走不通；10年前，包括現(xiàn)在我國(guó)還有人走這條路，從以上理論證明此種方法是不行的。即塑封料粉不能用結(jié)晶粉取代。

硅微粉改性后，白度的影響主要是改性劑和改性設(shè)備，而改性劑是物料，它不會(huì)對(duì)硅微粉造成二次污染。設(shè)備上的物質(zhì)進(jìn)入物料后，對(duì)硅微粉造成了二次污染，不但嚴(yán)重影響白度，還影響電導(dǎo)率。通過(guò)這次對(duì)設(shè)備的技術(shù)改造，克服了這方面的因素，取得了階段性的勝利。但改性工藝是相當(dāng)復(fù)雜的，它涉及到改性溫度臺(tái)階的控制、加入改性劑的時(shí)段、加入方法、加完改性劑后的攪拌時(shí)間等等。硅微粉雖與白炭黑化學(xué)成分均為二氧化硅，但前者為結(jié)晶型，后者為無(wú)定型。結(jié)晶型填料又分為異軸結(jié)晶和等軸結(jié)晶兩種。同軸結(jié)晶x、y、z三軸相似，各向同性。異軸結(jié)晶x、y、z三軸有明顯差異，各向異性在常用非金屬礦物填料中，陶土、石墨、硅藻土屬異軸結(jié)晶系。碳酸鈣為等軸結(jié)晶系。

隨著涂料工業(yè)的不斷發(fā)展，硅微粉等非金屬礦物填料不僅要在超細(xì)、提純、改性技術(shù)等方面進(jìn)行不斷的研究，更重要的是要進(jìn)行超細(xì)粉體在這些高分子聚合物中的應(yīng)用研究，從而推動(dòng)整個(gè)工業(yè)技術(shù)的進(jìn)步。 在高聚物基料中添加非金屬礦物填料，不僅可以降低高分子材料的成本，更重要的是能提高材料的性能尺寸穩(wěn)定性，并賦予材料某些特殊的物理化學(xué)性能，如抗壓、抗沖擊、耐腐蝕、阻燃、絕緣性等。