我們一般在對螺旋硅碳棒進(jìn)行檢測，主要就是要保證它的使用效果，因?yàn)椴缓细竦牟粌H不能達(dá)到很好的效果，甚至?xí)绊懻５纳a(chǎn)作業(yè)，在檢測過程中需要做到的就是：

1、細(xì)記錄電流表數(shù)據(jù)和溫控表的輸出百分比。

2、爐溫穩(wěn)定在某一溫度時(shí)，若螺旋硅碳棒斷棒，則儀表的輸出百分比較前一時(shí)間段會(huì)加大，電流表顯示電流會(huì)減小。

3、比同溫區(qū)的內(nèi)外兩組硅碳棒電流值和儀表輸出百分比，在同樣輸出百分比的情況下，內(nèi)阻電流應(yīng)接近于外組電流的一半。

4、同溫區(qū)甚至不同爐子做比較，溫度相同時(shí)對比其溫控表的輸出百分比和電流值，內(nèi)組和內(nèi)組做比較，外組和外組做比較，溫控表相同百分比輸出的情況下，電流應(yīng)基本一致。

公司專業(yè)生產(chǎn)電爐、不同規(guī)格的等直徑硅碳棒， 槽型棒 U型棒 槍型棒 門型棒 U型直角硅碳棒等各種異形硅碳棒，質(zhì)量穩(wěn)定，價(jià)格優(yōu)惠。

容易損壞硅碳棒的幾個(gè)注意事項(xiàng)  

　　1、硅碳棒受潮后易崩裂，gd棒接點(diǎn)受潮后易斷損，因此，硅碳棒在存放，安裝使用過程中要注意防潮，以免影響其壽命。

　　2、為保證爐溫及棒承受負(fù)荷均勻，安裝前要進(jìn)行配組，每組硅碳棒阻值偏差不得超過10%。

配阻的電阻允差為：

≥￠ 12mm 棒配阻， 電阻值允差≤ 0.2 ω

≤￠ 8mm 棒配阻， 電阻值允差≤ 0.5 ω

3、硅碳棒硬而脆，在搬運(yùn)、開箱和安裝、維修時(shí)要物特別小心，以免損壞。

　　4、電爐在開始通電運(yùn)行時(shí)，要逐漸緩慢升壓，不可一次加滿負(fù)荷，否則會(huì)因沖擊電流過大、而造成硅碳棒損壞。

影響硅碳棒使用壽命的主要因素:

① 使用溫度

硅碳棒溫度越高壽命越短。特別是在爐膛溫度超過1600℃以后，氧化速度加快，硅碳棒的使用壽命變短，所以請盡量不要讓硅碳棒表面溫度過高，即有必要縮小爐膛溫度與硅碳棒溫度之差。

②表面負(fù)荷

表面負(fù)荷密度指棒的發(fā)熱部單位表面積所允許承載的額定功率。

表面負(fù)荷密度=額定功率（W）/ 發(fā)熱部表面積（cm2）

實(shí)踐證明：負(fù)荷密度大則發(fā)熱體表面溫度與爐膛溫度之差也大。負(fù)荷密度大則棒體表面溫度高，電阻增長快， SIC棒的壽命短。因此，硅碳棒表面溫度負(fù)荷密度、爐內(nèi)氣氛、溫度與SIC棒老化速度成正比，與SIC棒的壽命成反比。

爐膛溫度與表面負(fù)荷密度的關(guān)系

圖示的使用范圍曲線為表面負(fù)荷密度臨界線，實(shí)際情況下請保持臨界線的 1/2—1/3的表面負(fù)荷。

硅碳棒是一種非金屬電熱元件,其電阻率的變化隨溫度的變化而改變,并且電阻率的變化呈非線性.我國傳統(tǒng)工藝制造的硅碳棒電阻率隨溫度變化存在一個(gè)800度的拐點(diǎn).硅碳棒的電阻特性是電阻率在室溫時(shí)電阻率將很大,隨著溫度的升高電阻率迅速降低,到800攝氏度時(shí)電阻率達(dá)到低谷,而后隨著溫度繼續(xù)升高,電阻率緩慢升高,并且隨溫度的升高電阻率升高愈大。硅碳棒的老化硅碳棒在高溫下長期使用，由于sic表面被氧化，致使原件中的sio2含量逐漸增多，使其電阻增大，這是正?，F(xiàn)象，稱之為“老化”，原件在使用中，前500小時(shí)老化速度快，以后的老化速度緩慢，主要是元件表面的sio2膜減緩了sic的氧化。

為防止硅碳棒電熱元件與上部結(jié)構(gòu)的耐火材料互相影響，各個(gè)元件的管腳均用陶瓷纖維套管絕緣，陶瓷纖維套管不但起著電氣絕緣的作用而且還起到固定硅碳棒的作用。

料道中使用的硅碳棒，為了延長硅碳棒加熱元件的壽命?？筛倪M(jìn)料道上部結(jié)構(gòu)，用擋磚將料道與工作池隔開,嚴(yán)格控制料道氣氛

在高溫氣氛下、原件的表面生成一層致密的石英SIO2保護(hù)層以防止MOSI2繼續(xù)氧化。1、因元件質(zhì)地硬而脆，故在元件的安裝、拆卸、搬運(yùn)時(shí)，應(yīng)特別小心，嚴(yán)防撞擊，以免造成裂斷現(xiàn)象。當(dāng)元件溫度大于1700度、熔點(diǎn)1710度的SIO2保護(hù)層熔融、由于表面張力的作用、SIO2熔聚成滴、而失去保護(hù)作用。元件在氧化氣氛下在繼續(xù)使用時(shí)、SIO2保護(hù)層重新生成 。 　　硅碳棒為非金屬電熱元件是用高純度綠色六方碳化硅為主要原料、按一定料比加工制坯、經(jīng)2200℃高溫硅化再結(jié)晶燒結(jié)而制成的棒狀、管狀非金屬高溫電熱元件。氧化性氣氛中正常使用溫度可達(dá)1450℃