3、保護(hù)回路：U1芯片本身和3腳外圍電路構(gòu)成過流保護(hù)回路;N1繞組上并聯(lián)的D1、R1、C9元件構(gòu)成了開關(guān)管的反向電壓吸收保護(hù)電路，以提供Q1截止時(shí)的反向電流通路，保障Q1的工作安全;實(shí)質(zhì)上穩(wěn)壓回路的電壓反饋信號(hào)，也可看作是一路電壓保護(hù)信號(hào)——當(dāng)反饋電壓幅度達(dá)一定值時(shí)，電路實(shí)施停振保護(hù)動(dòng)作;24V的輸出端并聯(lián)有由R18、ZD2、單向晶閘管SCR組成的過壓保護(hù)電路，當(dāng)穩(wěn)壓電路失常，引起輸出電壓異常上升時(shí)，穩(wěn)壓二極管ZD2的擊穿為SCR提供觸發(fā)電流，SCR的導(dǎo)通形成一個(gè)“短路電流”信號(hào)，強(qiáng)制U1內(nèi)部保護(hù)電路產(chǎn)生過流保護(hù)動(dòng)作，電路處于停振狀態(tài)。24v開關(guān)電源電路圖


之前是犯了這個(gè)很低級(jí)的錯(cuò)誤，14.5V輸出用16V耐壓電容，量產(chǎn)有1%的電容失效不良。 20.電路設(shè)計(jì)，大電容或其它電容做成臥式時(shí)，底部如有跳線需放在負(fù)極電位，這樣跳線可以不用穿套管。 這個(gè)可以節(jié)省成本。 21.整流橋堆、二極管或肖特基，晶元大小元件承認(rèn)書或在BOM表要有描述，如67mil。理由：管控供應(yīng)商送貨一至性，避免供應(yīng)商偷工減料，影響產(chǎn)品效率 另人煩腦的就是供應(yīng)商做手腳，導(dǎo)致一整批試產(chǎn)的產(chǎn)品過不了六級(jí)能效，原因就是肖特基內(nèi)部晶元用小導(dǎo)致。 22.電路設(shè)計(jì)，Snubber 電容，因?yàn)橛挟愐魡栴}，優(yōu)先使用Mylar電容 。


41.一個(gè)冷知識(shí)，如何測(cè)量PCB的銅箔厚度？ 方法：在PCB板上找一條光滑且長(zhǎng)的線條，測(cè)量其長(zhǎng)度L，再測(cè)寬度W，再用DC源加1A電流在其兩端測(cè)得壓降U 依據(jù)電阻率公式得出以下公式： 例：取一段PCB銅箔，長(zhǎng)度L為40mm，寬度為10mm，其通過1A電流兩端壓降為0.005V，求該段銅箔厚度為多少um？ 42.一款36W適配器的EMI整改案例，輸出12V/3A，多圖對(duì)比，整改花費(fèi)時(shí)間3周。 變壓器繞法一：Np1→VCC→Ns1→Ns2→銅屏蔽0.9Ts→NpPCB關(guān)鍵布局：Y電容地→大電容地，變壓器地→Vcc電容→大電容地注：變壓器所有出線沒有交叉圖一（115Vac） 圖一所示可以看到，130-200M處情況并不樂觀；130-200M主要原因在于PCB布局問題和二次側(cè)的肖特基回路，改其它地方作用不大，肖特基套磁珠可以完全壓下來，圖忘記保存了。