隨著工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，對材料的綜合性能要求也不斷提高，單一材料性能已不能滿足某些特定環(huán)境下工作機(jī)械的性能要求。國內(nèi)真空離子鍍膜機(jī)經(jīng)過幾十年的發(fā)展，相對于國外鍍膜設(shè)備而言，在自動(dòng)化程度與技術(shù)上取得了一定的進(jìn)步，但在鍍膜產(chǎn)品穩(wěn)定性和性方面尚需提升，設(shè)備仍依賴進(jìn)口。同時(shí)多弧離子鍍膜機(jī)低端產(chǎn)品市場存在供大于求的情況，價(jià)格競爭較為激烈。同時(shí)多弧離子鍍膜機(jī)低端產(chǎn)品市場存在供大于求的情況，價(jià)格競爭較為激烈。

鍍膜技術(shù)在防偽技術(shù)中的應(yīng)用 防偽膜種類很多，從使用方法可分為反射式和透射式；從膜系附著方式可以分為直接鍍膜式、間接鍍膜式或間接鍍膜剪貼式。

鍍膜技術(shù)在飛機(jī)防護(hù)涂層方面的應(yīng)用 飛機(jī)的鈦合金緊固件，原來采用電鍍方法鍍鎘。 鍍膜技術(shù)在光學(xué)儀器中的應(yīng)用 人們熟悉的光學(xué)儀器有望遠(yuǎn)鏡、顯微鏡、照相機(jī)、測距儀，以及日常生活用品中的鏡子、眼鏡、放大鏡等，它們都離不開鍍膜技術(shù)，鍍制的薄膜有反射膜、增透膜和吸收膜等幾種。鍍膜技術(shù)在集成電路制造中的應(yīng)用晶體管路中的保護(hù)層（SiO2、Si3N4）、電極管線（多晶硅、鋁、銅及其合金）等多是采用CVD技術(shù)、PVCD技術(shù)、真空蒸發(fā)金屬技術(shù)、磁控濺射技術(shù)和射頻濺射技術(shù)。

真空電鍍設(shè)備膜厚的不均勻問題

無論監(jiān)控儀精度怎樣，它也只能控制真空室里單點(diǎn)位置的膜厚，一般來講是工件架的中間位置。如果真空電鍍設(shè)備此位置的膜厚不是均勻的，那么遠(yuǎn)離中心位置的基片就無法得到均勻的厚度。雖然屏蔽罩能消除表現(xiàn)為長期的不均勻性，但有些膜厚度的變化是由蒸發(fā)源的不穩(wěn)定或膜材的不同表現(xiàn)而引起的，所以幾乎是不可能消除的，但對真空室的結(jié)構(gòu)和蒸發(fā)源的恰當(dāng)選擇可以使這些影響化。雖然屏蔽罩能消除表現(xiàn)為長期的不均勻性，但有些膜厚度的變化是由蒸發(fā)源的不穩(wěn)定或膜材的不同表現(xiàn)而引起的，所以幾乎是不可能消除的，但對真空室的結(jié)構(gòu)和蒸發(fā)源的恰當(dāng)選擇可以使這些影響化。

在過去幾年中，越來越多的用戶要求鍍膜系統(tǒng)制造廠家提供高性能的小規(guī)格、簡便型光學(xué)鍍膜系統(tǒng)，同時(shí)，用戶對性能的要求不僅沒有降低，反而有所提高，特別是在薄膜密度和保證吸水后光譜變化小化等方面。

現(xiàn)在，系統(tǒng)的平均尺寸規(guī)格已經(jīng)在降低，而應(yīng)用小規(guī)格設(shè)備進(jìn)行光學(xué)鍍膜的生產(chǎn)也已經(jīng)轉(zhuǎn)變成為純技術(shù)問題。因此，選用現(xiàn)代化光學(xué)鍍膜系統(tǒng)的關(guān)鍵取決于對以下因素的認(rèn)真考慮：對鍍膜產(chǎn)品的預(yù)期性能，基片的尺寸大小和物理特性以及保證高度一致性工藝所必需的所有技術(shù)因素。PVD是物理氣相沉積技術(shù)的簡稱，是指在真空條件下，采用物理的方法將材料（俗稱靶材或膜料）氣化成氣態(tài)分子、原子或離子，并將其沉積在工件形成具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)，常見的PVD沉積技術(shù)有：蒸發(fā)技術(shù)、濺射技術(shù)、電弧技術(shù)。

蒸發(fā)式真空鍍膜機(jī)的工作原理：通過加熱蒸發(fā)某種物質(zhì)使其沉積在固體表面，稱為蒸發(fā)鍍膜。這種方法早由M.法拉第于1857年提出，現(xiàn)代已成為常用鍍膜技術(shù)之知一。 蒸發(fā)物質(zhì)如金屬、化合物等置于坩堝內(nèi)或掛在熱絲上作為蒸發(fā)源，待鍍工件，如金屬、陶瓷、塑料等基片置于坩堝前方。待系統(tǒng)抽至高真空后，加熱坩堝使其中的物質(zhì)蒸發(fā)。蒸發(fā)物質(zhì)的原子或分子道以冷凝方式沉積在基片表面。薄膜厚度可由數(shù)百埃至數(shù)微米。由于輻射傳熱與溫度的4次方成比例，所以在850℃以下輻射效果不高，工件加熱速度很慢。膜厚決定于蒸發(fā)專源的蒸發(fā)速率和時(shí)間（或決定于裝料量），并與源和基片的距離有關(guān)。對于大面積鍍膜，常采用旋轉(zhuǎn)基片或多蒸發(fā)源的方式以保證膜層厚度的均勻性。從蒸發(fā)源到基片的屬距離應(yīng)小于蒸氣分子在殘余氣體中的平均自由程，以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學(xué)作用。蒸氣分子平均動(dòng)能約為0.1～0.2電子伏。簡言之，蒸發(fā)式真空鍍膜機(jī)的工作原理就是真空室內(nèi)利用電阻加熱法，把緊緊貼在電阻絲上面的金屬絲熔融汽化，汽化了的金屬分子沉積于基片上，而獲得光滑反射率的膜層，達(dá)到裝飾美化物品表面的目的。