微弧氧化槽液

       微弧氧化主要針對鋁、鎂、鈦、等閥金屬（閥金屬是指在電解液中起到電解閥門作用的金屬）。微弧氧化處理可在酸性和堿性電解液中進(jìn)行，但由于酸性電解液對環(huán)境污染性較大現(xiàn)已較少使用。常用堿性電解液體系包括硅酸鹽體系、磷酸鹽體系、鋁酸鹽體系等，在單一或者它們的復(fù)合電解液中，增加各種添加劑如鎢酸鹽、鉬酸鹽等，以達(dá)到提高膜層生長速率和致密性等或者功能性膜層的目的。微弧氧化處理應(yīng)根據(jù)基體材料的種類選用合適的電解液體系。隨著電壓的遞增，逐步進(jìn)入火花放電階段，并通過瞬時(shí)高溫?zé)Y(jié)作用使氧化膜結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，生成陶瓷膜層。微弧氧化電源、微弧氧化生產(chǎn)線、微弧氧化技術(shù)

      微弧氧化處理后的鋁基表面陶瓷膜層具有硬度高，耐蝕性強(qiáng)，絕緣性好，膜層與基底金屬結(jié)合力強(qiáng)，并具有很好的耐磨和耐熱沖擊等性能。微弧氧化技術(shù)工藝處理能力強(qiáng)，可通過改變工藝參數(shù)獲取具有不同特性的氧化膜層以滿足不同目的的需要；也可通過改變或調(diào)節(jié)電解液的成分使膜層具有某種特性或呈現(xiàn)不同顏色；微弧氧化電源、微弧氧化生產(chǎn)線、微弧氧化圖片、微弧氧化技術(shù)設(shè)備。還可采用不同的電解液對同一工件進(jìn)行多次微弧氧化處理，以獲取具有多層不同性質(zhì)的陶瓷氧化膜層。微弧氧化技術(shù)、微弧氧化電源、微弧氧化生產(chǎn)線、微弧氧化

微弧氧化電解液組成及工藝條件

　     微弧氧化電解液組成：K2SiO3 5～10g/L，Na2O2 4～6g/L，NaF 0.5～1g/L，CH3COONa 2～3g/L，Na3VO3 1～3g/L；溶液pH為11～13；溫度為20～50℃；該氧化膜還具有良好的絕緣性，耐500V以上的高壓沖擊，且有效防止電偶腐蝕。陰極材料為不銹鋼板；電解方式為先將電壓迅速上升至300V，并保持5～10s，然后將陽極氧化電壓上升至450V，電解5～10min。

       兩步電解法，靠前步：將鋁基工件在200g/L的鉀水玻璃水溶液中以1A/dm2的陽極電流氧化5min；第二步：將經(jīng)靠前步微弧氧化后的鋁基工件水洗后在70g/L的Na3P2O7水溶液中以1A/dm2的陽極電流氧化15min。陰極材料為：不銹鋼板；微弧氧化使用范圍由于微弧氧化技術(shù)具有工藝過程簡單，占地面積小，處理能力強(qiáng)，生產(chǎn)效率高，適用于大工業(yè)生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)，因此在機(jī)械，汽車，國防，電子，航天航空及建筑民用等工業(yè)領(lǐng)域有著極其廣泛的應(yīng)用前景。溶液溫度為20～度為20～50℃微弧氧化電源、微弧氧化技術(shù)、微弧氧化生產(chǎn)線

微弧氧化為什么要進(jìn)行預(yù)處理

      鋁、鎂、鐵等輕金屬進(jìn)行微弧氧化處理，需要進(jìn)行預(yù)處理，是因?yàn)殚L期露在空氣中表面易發(fā)生氧化，容易形成一層鈍化膜，同時(shí)，鋁、鎂、鈦等輕金屬容易吸附一些雜志，為保證微弧氧化后制得陶瓷膜的綜合力學(xué)性能，所以給鋁、鎂、鈦等輕金屬進(jìn)行微弧氧化前進(jìn)行預(yù)處理是很有必要的，是為了保證微弧氧化的效果。自1932年Betz等觀察到電ji穿的現(xiàn)象以來，許多研究者都對電ji穿產(chǎn)生的原因過各種各樣的假設(shè)和模型。微弧氧化電源、微弧氧化生產(chǎn)線、微弧氧化技術(shù)、微弧氧化設(shè)備、微弧氧化技術(shù)原理、微弧氧化工藝