感應耦合等離子體刻蝕機的結構三

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供氣系統(tǒng)供氣系統(tǒng)是向刻蝕腔體輸送各種刻蝕氣體，通過壓力控制器（PC）和質量流量控制器（MFC）精準的控制氣體的流速和流量。氣體供應系統(tǒng)由氣源瓶、氣體輸送管道、控制系統(tǒng)、混合單元等組成。

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感應耦合等離子體刻蝕機的結構四

真空系統(tǒng)真空系統(tǒng)有兩套，分別用于預真空室和刻蝕腔體。預真空室由機械泵單獨抽真空，只有在預真空室真空度達到設定值時，才能打開隔離門，進行傳送片?？涛g腔體的真空由機械泵和分子泵共同提供，刻蝕腔體反應生成的氣體也由真空系統(tǒng)排空。

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等離子刻蝕工藝

等離子體刻蝕分為兩個過程：首先，等離子體中產生化學活性組分；其次，這些活性組分與固體材料發(fā)生反應，形成揮發(fā)性化合物，從表面擴散排走。例如，CF4離解產生的F，與S反應生成SiF4氣體，結果是在含Si材料的表面形成了微觀銑削結構。等離子體刻蝕是一個通用術語，包括離子刻蝕、濺射刻蝕以及等離子體灰化等過程。

基底和工藝參數(shù)決定了表面改性的類型，基底溫度、處理時間和材料擴散特性決定了改性深度。等離子體僅能在表面刻蝕幾個微米的深度，改性后的表面特性發(fā)生了改變，但大部分材料的特性仍能得以保持。這項技術還可以用于表面清洗、固話、粗化、改變親水性及粘結性等，同樣也可以使電子顯微鏡下觀察的樣品變薄以及應用于半導體集成電路的制造過程中。在化學濺射中會發(fā)生反應并產生揮發(fā)性產物。常用的氣體包括Ar、He、O2、H2、H2O、CO2、Cl2、F2和有機蒸氣等。與存在化學反應的等離子體濺射相比，惰性離子濺射更像是一個物理過程。

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