I老化原因？C

為什么老化跟時(shí)間有關(guān)？

為什么電路速度會(huì)隨時(shí)間原來(lái)越慢呢？因?yàn)閿噫I是隨機(jī)發(fā)生，需要時(shí)間積累。另外，前面提到的斷裂的Si-H鍵是可以自己恢復(fù)的，所以基于斷鍵的老化效應(yīng)都有恢復(fù)模式。對(duì)于NBTI效應(yīng)來(lái)說(shuō)，加反向電壓就會(huì)進(jìn)恢復(fù)模式；對(duì)于HCI效應(yīng)來(lái)說(shuō)，停止使用就進(jìn)入恢復(fù)模式。但是這兩種方式都不可能長(zhǎng)時(shí)間發(fā)生，所以總的來(lái)說(shuō)，芯片是會(huì)逐漸老化的。芯片組，則是一系列相互關(guān)聯(lián)的芯片組合，它們相互依賴，組合在一起能發(fā)揮更大的作用，比如計(jì)算機(jī)里面的處理器和南北橋芯片組，手機(jī)里面的射頻、基帶和電源管理芯片組。

為什么老化跟溫度有關(guān)？

為什么電路速度跟溫度也有影響呢？溫度表示宏觀物體微觀粒子的平均動(dòng)能。溫度越高，電子運(yùn)動(dòng)越劇烈，Si?HSi?H鍵斷鍵幾率就大。

為什么加壓會(huì)加速老化？

為什么加壓有影響呢？同樣的晶體管，供電電壓越高偏移電壓越高，偏移電壓越高氫原子游離越快，等于壓制了自發(fā)的恢復(fù)效應(yīng)，自然老化就快了。

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4GHzCMOS全數(shù)字鎖相環(huán)

隨著深亞微米CMOS工藝的發(fā)展,工藝尺寸的縮小使模擬電路的設(shè)計(jì)變得更加復(fù)雜,盡可能采用數(shù)字電路代替模擬電路成為發(fā)展的趨勢(shì)。鎖相環(huán)作為時(shí)鐘產(chǎn)生電路是射頻通信系統(tǒng)中的關(guān)鍵模塊,其中全數(shù)字鎖相環(huán)具有良好的集成性、可移植性和可編程性,以及能夠?qū)崿F(xiàn)較好的相位噪聲指標(biāo)等優(yōu)勢(shì),得到了越來(lái)越廣泛的研究和發(fā)展。DB文件獲得網(wǎng)表和時(shí)序約束信息進(jìn)行自動(dòng)放置標(biāo)準(zhǔn)單元，同時(shí)進(jìn)行時(shí)序檢查和單元放置優(yōu)化。本文著重于2.4GHz CMOS全數(shù)字鎖相環(huán)的研究與設(shè)計(jì),主要工作包括:

1)首先分析并推導(dǎo)了全數(shù)字鎖相環(huán)的主要性能指標(biāo),接著分析了I型和II型全數(shù)字鎖相環(huán)的原理和結(jié)構(gòu)特點(diǎn),并分析了環(huán)路參數(shù)對(duì)整個(gè)環(huán)路特性與穩(wěn)定性的影響。

2)提出一種用于時(shí)間數(shù)字轉(zhuǎn)換器(Time-to-Digital Converter,TDC)的互補(bǔ)比較器的結(jié)構(gòu),在傳統(tǒng)比較器結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上,疊加一個(gè)與之互補(bǔ)的比較器,能夠消除輸出波形的毛刺,降低輸入失調(diào)電壓,提高比較器的工作速度,進(jìn)而改善比較器的精度。NanoSim(Star-SIMXT)NanoSim集成了業(yè)界的電路技術(shù)，支持Verilog-A和對(duì)VCS器的接口，能夠進(jìn)行電路的工具，其中包括存儲(chǔ)器和混合信號(hào)的。

3)提出一種可重構(gòu)數(shù)字濾波器(Digital Loop Filter,DLF),將DLF的參數(shù)KP、KI做成芯片外的控制端口,通過(guò)片外手動(dòng)調(diào)節(jié)來(lái)改變芯片內(nèi)部的參數(shù),可以改變?nèi)珨?shù)字鎖相環(huán)的帶寬,開(kāi)環(huán)和閉環(huán)響應(yīng),以及幅度響應(yīng)等,終能夠方便地在片外調(diào)節(jié),使環(huán)路達(dá)到鎖定狀態(tài)。這一階段使用VHDL或VerilogHDL語(yǔ)言的輸入工具編寫代碼。

4)分析和設(shè)計(jì)了一款數(shù)控振蕩器(Digitally Controlled Oscillator,DCO),采用CMOS交叉耦合LC振蕩器,包括粗調(diào)、中調(diào)和精調(diào)三個(gè)電容陣列和ΔΣ調(diào)制器。其中,粗調(diào)單元采用MIM電容,中調(diào)和精調(diào)單元采用兩對(duì)反向連接的PMOS對(duì)管構(gòu)成MOS電容,本文DCO的增益為300kHz左右,使用ΔΣ調(diào)制器后,DCO的分辨率可以達(dá)到5kHz左右。對(duì)于當(dāng)今所有的IC設(shè)計(jì)，DCUltra是可以利用的的綜合平臺(tái)。

集成電路芯片有什么歸類？

一、作用構(gòu)造歸類

集成電路芯片，又稱之為IC，按其作用、構(gòu)造的不一樣，能夠 分成模擬集成電路芯片、數(shù)據(jù)集成電路芯片和數(shù)/?；旌图呻娐沸酒箢?。

二、加工工藝歸類

集成電路芯片按加工工藝可分成半導(dǎo)體材料集成電路芯片和膜集成電路芯片。

三、導(dǎo)電性種類不一樣

集成電路芯片按導(dǎo)電性種類可分成雙極型集成電路芯片和單極型集成電路芯片，她們?nèi)菙?shù)據(jù)集成電路芯片。

雙極型集成電路芯片的加工工藝繁雜，功能損耗很大，意味著集成電路芯片有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等種類。單極型集成電路芯片的加工工藝簡(jiǎn)易，功能損耗也較低，便于做成規(guī)模性集成電路芯片，意味著集成電路芯片有CMOS、NMOS、PMOS等種類?？蓽y(cè)試性設(shè)計(jì)（即DesignForTest），通常用來(lái)檢測(cè)和調(diào)試生產(chǎn)過(guò)程中的良率問(wèn)題。