IC半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(四)

P型半導(dǎo)體

   在純凈的硅(或鍺)晶體內(nèi)摻入微量的三價(jià)元素硼(或銦)，因硼原子的外層有三個(gè)價(jià)電子，當(dāng)它與周圍的硅原子組成共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)時(shí)，會(huì)因缺少一個(gè)電子而在晶體中產(chǎn)生一個(gè)空穴，摻入多少三價(jià)元素的雜質(zhì)原子，就會(huì)產(chǎn)生多少空穴。因此，這種半導(dǎo)體將以空穴導(dǎo)電為其主要導(dǎo)體方式，稱為空穴型半導(dǎo)體，簡稱P型半導(dǎo)體。必須注意的是，產(chǎn)生空穴的同時(shí)并沒有產(chǎn)生新的自由電子，但原有的晶體仍會(huì)產(chǎn)生少量的電子空穴對。在其中集成的ModuleCompiler數(shù)據(jù)通路綜合技術(shù)，DCUltra利用同樣的VHDL/Verilog流程，能夠創(chuàng)造處又快又小的電路。

   從以上分析可知，不論是N型半導(dǎo)體還是P型半導(dǎo)體，它們的導(dǎo)電能力是由多子的濃度決定的?？梢哉J(rèn)為，多子的濃度約等于摻雜原子的濃度，它受溫度的影響很小。在一塊硅片上采用不同的摻雜工藝，一邊形成N型半導(dǎo)體，一邊形成P型半導(dǎo)體，則在兩種半導(dǎo)體的交界面附近形成PN結(jié)；PN結(jié)是構(gòu)成各種半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)。這種損害是個(gè)逐漸積累的過程，當(dāng)這種“凹凸不平”多到一定程度的時(shí)候，就會(huì)造成IC內(nèi)部導(dǎo)線的斷路與短路，而終使得IC報(bào)廢。

   1.PN結(jié)的形成 

   在一塊硅或鍺的晶片上，采取不同的摻雜工藝，分別形成N型半導(dǎo)體區(qū)和P型半導(dǎo)體區(qū)。由于N區(qū)的多數(shù)載流子為電子(即電子濃度高)，少子為空穴(空穴濃度低)，而P區(qū)正相反，多數(shù)載流子為空穴(即空穴濃度高)，少子為電子(電子濃度低)；在P區(qū)與N區(qū)的交界面兩側(cè)，由于濃度的差別，空穴要從濃度高的P區(qū)向濃度低的N區(qū)擴(kuò)散，N區(qū)的自由電子要向P區(qū)擴(kuò)散，由于濃度的差別而引起的運(yùn)動(dòng)稱為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。這樣，在P區(qū)就留下了一些帶負(fù)電荷的雜質(zhì)離子，在N區(qū)就留下了一些帶正電荷的雜質(zhì)離子，從而形成一個(gè)空間電荷區(qū)。這個(gè)空間電荷區(qū)就是PN結(jié)。在空間電荷區(qū)內(nèi)，只有不能移動(dòng)的雜質(zhì)離子而沒有載流子，所以空間電荷區(qū)具有很高的電阻率。似乎這些與狹義的數(shù)字電路設(shè)計(jì)不相關(guān)，但這恰恰公司降低成本的秘訣。

數(shù)字IC應(yīng)用驗(yàn)證方真技術(shù)研究

應(yīng)用驗(yàn)證是指導(dǎo)IC元器件在系統(tǒng)中的可靠應(yīng)用的關(guān)鍵,重點(diǎn)要關(guān)注應(yīng)用系統(tǒng)對器件接口信號的影響,因此無論是采用純軟件還是軟硬件協(xié)同的方式進(jìn)行應(yīng)用驗(yàn)證都需要先完成應(yīng)用系統(tǒng)的PCB工作。本文提出的應(yīng)用驗(yàn)證技術(shù)方案以基IBIS模型在多個(gè)平臺(tái)進(jìn)行PCB SI(Signal Integrity)的方式提取出所需的數(shù)據(jù),實(shí)現(xiàn)對系統(tǒng)應(yīng)用環(huán)境的模擬;在此基礎(chǔ)上通過軟件和軟硬件協(xié)同兩種方法來實(shí)現(xiàn)數(shù)字IC器件的應(yīng)用驗(yàn)證。為保證應(yīng)用驗(yàn)證的順利進(jìn)行,對方案中涉及到的IBIS建模、PCB SI和S參數(shù)的提取及等技術(shù)進(jìn)行了研究。所有的分析方法不同數(shù)電：主要分析輸入輸出信號之間的邏輯關(guān)系，使用邏輯代數(shù)，真值表、卡諾圖等分析方法。

提出的應(yīng)用驗(yàn)證技術(shù)方案的指導(dǎo)下,以SRAM的應(yīng)用驗(yàn)證為例進(jìn)行了相關(guān)的技術(shù)探索。首先對IBIS模型建模技術(shù)進(jìn)行了深入研究,并完成了SRAM以及80C32等相關(guān)IC器件的IBIS模型建模工作;接著基于IBIS模型進(jìn)行PCB SI,模擬了SRAM的板級應(yīng)用環(huán)境并提取了應(yīng)用驗(yàn)證所需的數(shù)據(jù);后分別對適用于SRAM的軟件平臺(tái)和軟硬件協(xié)同平臺(tái)進(jìn)行了相關(guān)設(shè)計(jì),并完成了SRAM的應(yīng)用驗(yàn)證。通過對SRAM的應(yīng)用驗(yàn)證,證明了本文所提出的應(yīng)用驗(yàn)證技術(shù)方案的可行性。根據(jù)設(shè)計(jì)的功能需求和算法分析的結(jié)果，設(shè)計(jì)芯片的架構(gòu)，并對不同的方案進(jìn)行比較。

過程控制計(jì)算機(jī)軟件包

發(fā)展強(qiáng)有力的程序測試系統(tǒng),是提高程序可靠性的有效手段。但當(dāng)前由于國內(nèi)軟件包的問世,在測試范圍、測試要求和測試方法等方面,都提出了新的要求,原有的一般程序測試工具已不能獨(dú)立地、完整地完成測試任務(wù)。因此,就提出了設(shè)計(jì)新的測試系統(tǒng)的要求。本文主要是根據(jù)軟件包測試的新要求,提出了設(shè)計(jì)新的測試系統(tǒng)的一些準(zhǔn)則。，m-1位，位是第0位，位是第m-1位），然后將相乘的結(jié)果按十進(jìn)制數(shù)相加，就可以得到等值的十進(jìn)制數(shù)。在此基礎(chǔ)上,進(jìn)一步闡明如何根據(jù)這些準(zhǔn)則,來組成一個(gè)測試系統(tǒng);并以實(shí)例來說明這種系統(tǒng)的使用對加速程序測試和提高其可靠性是有效的;同時(shí),使用也很方便。

深圳瑞泰威科技有限公司是國內(nèi)IC電子元器件的代理銷售企業(yè)，專業(yè)從事各類驅(qū)動(dòng)IC、存儲(chǔ)IC、傳感器IC、觸摸IC銷售，品類齊全，具備上百個(gè)型號。與國內(nèi)外的東芝、恩智浦、安森美、全宇昕、上海晶準(zhǔn)等均穩(wěn)定合作，保證產(chǎn)品的品質(zhì)和穩(wěn)定供貨。自公司成立以來，飛速發(fā)展，產(chǎn)品已涵蓋了工控類IC、光通信類IC、無線通信IC、消費(fèi)類IC等行業(yè)。Filler的插入(padfliier,cellfiller)。

一個(gè)合格數(shù)字Ic設(shè)計(jì)師需要掌握的技能有哪些？

在數(shù)字IC設(shè)計(jì)流程中，前端設(shè)計(jì)工程師們需要運(yùn)用到的技能有很多，那么對于設(shè)計(jì)師而言，需要掌握的技能到底有哪些呢？接下來和小編一起了解一下.

語言類

Verilog-2001/ VHDL

SystemVerilog/ SystemC

Makefile/ Perl/ Python

Tcl

工具類

NCVerilog/ VCS/ ModelSim

SimVision/ DVE/ Verdi

Vim/ Emacs

SVN/ CVS/ Git

Microsoft Office

平臺(tái)類

Windows

Linux

OS X

其他加分項(xiàng)目

MATLAB

ISE/ Synplify/ Vivado/ Quartus

LEC/Formality

VMM/ UVM

ESL

ZeBu Server

JIRA/ Confluence

C/ Assembly Language

Computer Architecture/ ARM Architecture/ MIPS Architecture

瑞泰威驅(qū)動(dòng)IC廠家，是國內(nèi)IC電子元器件的代理銷售企業(yè)，專業(yè)從事各類驅(qū)動(dòng)IC、存儲(chǔ)IC、傳感器IC、觸摸IC銷售，品類齊全，具備上百個(gè)型號。