鈣鈦礦鍍膜設(shè)備

以下內(nèi)容由沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您提供，今天我們來分享電阻熱蒸發(fā)鍍膜產(chǎn)品的相關(guān)內(nèi)容，希望對同行業(yè)的朋友有所幫助！

設(shè)備用途 ：

適用于制備金屬單質(zhì)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、氧化物薄膜、有機(jī)薄膜等，可用于科研單位進(jìn)行新材料、新工藝薄膜研究工作，也可用于大批量生產(chǎn)前的試驗(yàn)工作。廣泛應(yīng)用于有機(jī)、無機(jī)、鈣鈦礦薄膜太陽能電池、OLED等研究領(lǐng)域

設(shè)備組成：

該設(shè)備主要由沉積室、真空排氣系統(tǒng)、真空測量、蒸發(fā)源、樣品加熱、電控系統(tǒng)、等部分組成。

      1、鍍膜室：方形前后開門結(jié)構(gòu)，內(nèi)帶有防污板。

      2、真空度：鍍膜室的極限真空≤5×10-5Pa；

      3、蒸發(fā)源系統(tǒng)：有機(jī)源蒸發(fā)源4個(gè)，無機(jī)蒸發(fā)源2套

      4、樣品架系統(tǒng)：樣品大小為Φ150mm的樣品，旋轉(zhuǎn)速度為：0～30轉(zhuǎn)/分；

      5、樣品在鍍膜過程中，可烘烤加熱，加熱溫度為：室溫～190℃，測溫控溫。

      6、膜厚控制儀：測量范圍0-999999?