磁控濺射的工作原理

是指電子在電場(chǎng)E的作用下，在飛向基片過(guò)程中與原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場(chǎng)作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產(chǎn)生的二次電子會(huì)受到電場(chǎng)和磁場(chǎng)作用，產(chǎn)生E（電場(chǎng)）×B（磁場(chǎng)）所指的方向漂移，簡(jiǎn)稱E×B漂移，其運(yùn)動(dòng)軌跡近似于磁控濺射一條擺線。若為環(huán)形磁場(chǎng)，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運(yùn)動(dòng)，它們的運(yùn)動(dòng)路徑不僅很長(zhǎng)，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi)，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar 來(lái)轟擊靶材，從而實(shí)現(xiàn)了高的沉積速率。隨著碰撞次數(shù)的增加，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠(yuǎn)離靶表面，并在電場(chǎng)E的作用下終沉積在基片上。顯然,不論哪一種導(dǎo)電機(jī)制,載流子密度均與濺射成膜時(shí)的氧含量有很大關(guān)系。由于該電子的能量很低，傳遞給基片的能量很小，致使基片溫升較低。磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過(guò)程。入射粒子在靶中經(jīng)歷復(fù)雜的散射過(guò)程，和靶原子碰撞，把部分動(dòng)量傳給靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成級(jí)聯(lián)過(guò)程。在這種級(jí)聯(lián)過(guò)程中某些表面附近的靶原子獲得向外運(yùn)動(dòng)的足夠動(dòng)量，離開(kāi)靶被濺射出來(lái)。

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磁控濺射鍍膜機(jī)

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ITO 薄膜的磁控濺射靶主要分為InSn 合金靶、In2O3-SnO2 陶瓷靶兩類。在用合金靶制備ITO 薄膜時(shí),由于濺射過(guò)程中作為反應(yīng)氣體的氧會(huì)和靶發(fā)生很強(qiáng)的電化學(xué)反應(yīng),靶面覆蓋一層化合物,使濺射蝕損區(qū)域縮得很小(俗稱“靶zhong毒”) ,以至很難用直流濺射的方法穩(wěn)定地制備出的ITO 膜。也就是說(shuō),采用合金靶磁控濺射時(shí),工藝參數(shù)的窗口很窄且極不穩(wěn)定。這樣中空玻璃，一些門(mén)窗廠，幕墻公司、小規(guī)模的玻璃深加工工廠，都可以生產(chǎn)low-e中空玻璃了，加上政府政策的支持與引導(dǎo)，大大的加快了low-e玻璃的發(fā)展與普及。陶瓷靶因能抑制濺射過(guò)程中氧的選擇性濺射,能穩(wěn)定地將金屬銦和錫與氧的反應(yīng)物按所需的化學(xué)配比穩(wěn)定地成膜,故無(wú)zhong毒現(xiàn)象,工藝窗口寬,穩(wěn)定性好。但這不等于說(shuō)陶瓷靶解決了所有的問(wèn)題,其薄膜光電性能仍然受制于基底溫度、濺射電壓、氧含量等主要工藝參數(shù)的影響,不同工藝制備出的ITO 薄膜的光電性能相差甚遠(yuǎn)。因此,開(kāi)展ITO陶瓷靶磁控濺射工藝參數(shù)的優(yōu)化研究很有意義。

磁控濺射鍍膜技術(shù)

磁控濺射鍍膜技術(shù)由于其顯著的優(yōu)點(diǎn)已經(jīng)成為制備薄膜的主要技術(shù)之一。非平衡磁控濺射改善了等離子體區(qū)域的分布，顯著提高了薄膜的質(zhì)量。磁控濺射鍍機(jī)磁控濺射鍍一層薄薄的膜是工業(yè)化中必不可少的技術(shù)性之首，磁控濺射鍍一層薄薄的膜技術(shù)性正運(yùn)用于全透明導(dǎo)電膜、電子光學(xué)膜、超硬膜、耐腐蝕膜、帶磁膜、增透膜、減反膜及其各種各樣裝飾膜，在國(guó)防安全和社會(huì)經(jīng)濟(jì)生產(chǎn)制造中的功效和影響力日漸強(qiáng)勁。中頻濺射鍍膜技術(shù)的發(fā)展有效克服了反應(yīng)濺射過(guò)程中出現(xiàn)的打弧現(xiàn)象，減少了薄膜的結(jié)構(gòu)缺陷，明顯提高了薄膜的沉積速率。磁控濺射鍍膜儀廠家?guī)懔私飧啵?

磁控濺射鍍膜是現(xiàn)代工業(yè)中不可缺少的技術(shù)之一，磁控濺射鍍膜技術(shù)正廣泛應(yīng)用于透明導(dǎo)電膜、光學(xué)膜、超硬膜、抗腐蝕膜、磁性膜、增透膜、減反膜以及各種裝飾膜。

磁控濺射技術(shù)發(fā)展過(guò)程中各項(xiàng)技術(shù)的突破一般集中在等離子體的產(chǎn)生以及對(duì)等離子體進(jìn)行的控制等方面。通過(guò)對(duì)電磁場(chǎng)、溫度場(chǎng)和空間不同種類粒子分布參數(shù)的控制，使膜層質(zhì)量和屬性滿足各行業(yè)的要求。

對(duì)于濺射鍍膜來(lái)說(shuō)，可以從真空系統(tǒng)，電磁場(chǎng)，氣體分布，熱系統(tǒng)等幾個(gè)方面進(jìn)行沒(méi)計(jì)，機(jī)械制造和控制貫穿整個(gè)工程設(shè)計(jì)過(guò)程。

濺射碰撞一般是研究帶電荷能離子與靶材表層粒子相互作用，并伴隨靶材原子及原子團(tuán)簇的產(chǎn)生的過(guò)程。

薄膜的屬性和基片的溫度、晶格常數(shù)、表面狀態(tài)和電磁場(chǎng)等有著密切關(guān)系。