金屬封裝外殼在將柱形鋁材按照前面評估的胚料大小進(jìn)行切割并擠壓，這個(gè)過程被稱之為鋁擠，會(huì)讓鋁材擠壓之后成為規(guī)則的鋁板方便加工，同時(shí)更加致密，堅(jiān)硬。因?yàn)樵嫉匿X材硬度和強(qiáng)度都不夠。金屬基復(fù)合材料的基體材料有很多種，但作為熱匹配復(fù)合材料用于封裝的主要是Cu基和燦基復(fù)合材料。傳統(tǒng)金屬封裝材料及其局限性芯片材料如Si、GaAs以及陶瓷基板材料如A12O3、BeO、AIN等的熱膨脹系數(shù)(CTE)介于3×10-6-7×10-6K-1之間。金屬封裝材料為實(shí)現(xiàn)對芯片支撐、電連接、熱耗散、機(jī)械和環(huán)境的保護(hù)，應(yīng)具備以下的要求：①與芯片或陶瓷基板匹配的低熱膨脹系數(shù),減少或避免熱應(yīng)力的產(chǎn)生；金屬封裝外殼壓鑄的原則就是不浪費(fèi)，節(jié)省時(shí)間和成本，但是不利于后期的陽極氧化工藝，還可能留下沙孔流痕等等影響質(zhì)量和外觀的小問題，當(dāng)然，廠商們都有一個(gè)良品率的概念，靠譜的廠商是不會(huì)讓這些次品流入到后面的生產(chǎn)環(huán)節(jié)中去的。

 國內(nèi)外已廣泛生產(chǎn)并用在大功率微波管、大功率激光二極管和一些大功率集成電路模塊上。由于Cu-Mo和Cu-W之間不相溶或浸潤性極差，況且二者的熔點(diǎn)相差很大，給材料制備帶來了一些問題；如果制備的Cu／W及Cu／Mo致密程度不高，則氣密性得不到保證，影響封裝性能。金屬封裝機(jī)殼程序編寫包攬了加工的工藝流程設(shè)置、數(shù)控刀片挑選，轉(zhuǎn)速比設(shè)置，數(shù)控刀片每一次走刀的間距這些。另一個(gè)缺點(diǎn)是由于W的百分含量高而導(dǎo)致Cu／W密度太大，增加了封裝重量。金屬封裝外殼壓鑄的原則就是不浪費(fèi)，節(jié)省時(shí)間和成本，但是不利于后期的陽極氧化工藝，還可能留下沙孔流痕等等影響質(zhì)量和外觀的小問題，當(dāng)然，廠商們都有一個(gè)良品率的概念，靠譜的廠商是不會(huì)讓這些次品流入到后面的生產(chǎn)環(huán)節(jié)中去的。材料工作者在這些材料基礎(chǔ)上研究和開發(fā)了很多種金屬基復(fù)合材料(MMC)，它們是以金屬(如Mg、Al、Cu、Ti)或金屬間化合物(如TiAl、NiAl)為基體，以顆粒、晶須、短纖維或連續(xù)纖維為增強(qiáng)體的一種復(fù)合材料。

一種金屬封裝外殼及其制備工藝的制作方法

本發(fā)明公開了一種金屬封裝外殼，通過將現(xiàn)有技術(shù)中的塑料外殼的形狀進(jìn)行改變，以及對材料進(jìn)行更換，采用銅作為外殼的材料，同時(shí)對外殼內(nèi)部的引線由圓柱狀結(jié)構(gòu)改進(jìn)為扁平狀結(jié)構(gòu)，使得外殼的內(nèi)部空間增加，散熱性能增強(qiáng)，解決了現(xiàn)有技術(shù)中封裝外殼散熱性能差的問題。金屬外殼制作工藝大致可以分為3種、一種是全CNC加工，一種是壓鑄，還有就是將CNC與壓鑄結(jié)合使用。本發(fā)明還提供了一種金屬封裝外殼的制備工藝，改進(jìn)了現(xiàn)有工藝流程，通過該制備工藝制備的金屬封裝外殼具備更可靠的保護(hù)性能。

封裝用金屬管殼行業(yè)前景預(yù)測分析報(bào)告是運(yùn)用的方法，

對影響封裝用金屬管殼行業(yè)市場供求變化的諸因素進(jìn)行調(diào)查研究，分析和預(yù)見其發(fā)展趨勢，掌握封裝用金屬管殼行業(yè)市場供求變化的規(guī)律，為經(jīng)營決策提供的依據(jù)。這些物質(zhì)可以使無氧高導(dǎo)銅的退火點(diǎn)從320℃升高到400℃，而熱導(dǎo)率和電導(dǎo)率損失不大。預(yù)測為決策服務(wù)，是為了提高管理的水平，減少?zèng)Q策的盲目性，需要通過預(yù)測來把握經(jīng)濟(jì)發(fā)展或者未來市場變化的有關(guān)動(dòng)態(tài)，減少未來的不確定性，降低決策可能遇到的風(fēng)險(xiǎn)，使決策目標(biāo)得以順利實(shí)現(xiàn)