氧化拋光液氧化拋光液是以微米或亞微米級CeO2為磨料的氧化研磨液，該研磨液具有分散性好、粒度細、粒度分布均勻、硬度適中等特點。適用于高精密光學儀器，光學鏡頭，微晶玻璃基板，晶體表面、集成電路光掩模等方面的精密拋光。氧化鋁和碳化硅拋光液是以超細氧化鋁和碳化硅微粉為磨料的拋光液，主要成分是微米或亞微米級的磨料。主要用于高精密光學儀器、硬盤基板、磁頭、陶瓷、光纖連接器等方面的研磨和拋光。

半導體行業(yè)CMP技術(shù)還廣泛的應(yīng)用于集成電路(IC)和超大規(guī)模集成電路中(ULSI)對基體材料硅晶片的拋光。隨著半導體工業(yè)的急速發(fā)展，對拋光技術(shù)提出了新的要求，傳統(tǒng)的拋光技術(shù)（如：基于淀積技術(shù)的選擇淀積、濺射等）雖然也可以提供“光滑”的表面，但卻都是局部平面化技術(shù)，不能做到全局平面化，而化學機械拋光技術(shù)解決了這個問題，它是可以在整個硅圓晶片上平坦化的工藝技術(shù)。

化學拋光的優(yōu)缺點：

1：優(yōu)點： 操作簡便、快速，無需專用儀器。拋光后試樣表面無變形層，可拋光經(jīng)鑲嵌后的試樣，也可同時拋光試樣的縱、橫斷面。化學拋光時兼有化學侵蝕作用，因此多數(shù)情況下能同時顯示組織，拋光結(jié)束之后可以觀察組織，不需再做侵蝕顯示。

2：缺點：拋光液容易失效，溶液消耗快。拋光結(jié)果不是太佳，試樣的棱角易受蝕損，拋光面易出現(xiàn)微小波紋起伏，高倍觀察時受到影響