化學(xué)拋光是在不供電情況下產(chǎn)生拋光效果，其拋光原理與利用電流作用的電解拋光在本質(zhì)上沒(méi)有太大差別?；瘜W(xué)拋光效果一般要比電解拋光效果差，在化學(xué)拋光中，由于材料的質(zhì)量不均勻，會(huì)引起局部電位高低不一，產(chǎn)生局部陰陽(yáng)極區(qū)，形成局部短路的微電池，使陽(yáng)極發(fā)生局部溶解。而在電解拋光中由于外加電位的作用可以完全消除這種局部的陰極區(qū)，進(jìn)行的電解，因此效果更好。

原理：化學(xué)拋光是靠化學(xué)試劑的化學(xué)浸蝕作用對(duì)樣品表面凹凸不平區(qū)域的選擇性溶解作用消除磨痕、浸蝕整平的一種方法?；瘜W(xué)拋光設(shè)備簡(jiǎn)單，能夠處理細(xì)管、帶有深孔及形狀復(fù)雜的零件，生產(chǎn)?；瘜W(xué)拋光可作為電鍍預(yù)處理工序，也可在拋光后輔助以必要的防護(hù)措施直接使用。

化學(xué)拋光是一種將金相樣品浸入調(diào)配的化學(xué)拋光液中，借化學(xué)藥劑的溶解作用而得到的拋光表面的拋光方法?；瘜W(xué)拋光是常見的金相樣品拋光方法之一，這種方法操作簡(jiǎn)便，不需任何儀器設(shè)備，只需要選擇適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)拋光液和掌握的拋光規(guī)范，就能快速得到較理想的光潔而無(wú)變形層的表面。

基本原理：

金屬試樣表面各組成相的電化學(xué)電位不同，形成了許多微電勢(shì)，在化學(xué)溶液中會(huì)產(chǎn)生不均勻溶解。在溶解過(guò)程中試樣面表層會(huì)產(chǎn)生一層氧化膜，試樣表面凸出部分由于粘膜薄，金屬的溶解擴(kuò)展速度較慢，拋光后的表面光滑，但形成有小的起伏波形，不能達(dá)到十分理想的要求。在低和中等放大倍數(shù)下利用顯微鏡觀察時(shí)，這種小的起伏一般在物鏡垂直鑒別能力之內(nèi)，仍能觀察到十分清晰的組織

1. LED行業(yè)LED芯片主要采用的襯底材料是藍(lán)寶石，在加工過(guò)程中需要對(duì)其進(jìn)行減薄和拋光。藍(lán)寶石的硬度極高，普通磨料難以對(duì)其進(jìn)行加工。在用金剛石研磨液對(duì)藍(lán)寶石襯底表面進(jìn)行減薄和粗磨后，表面不可避免的有一些或大或小的劃痕。CMP拋光液利用“軟磨硬”的原理很好的實(shí)現(xiàn)了藍(lán)寶石表面的精密拋光。隨著LED行業(yè)的快速發(fā)展，聚晶金剛石研磨液及二氧化硅溶膠拋光液的需求也與日俱增。