電池片的檢驗

電池片的檢驗

一十三、印刷圖型 

主柵線： 

A級：主柵線容許有輕度斷開、缺少、歪曲、突顯，斷開和缺少總面積不超出主柵線總面積的5%，歪曲突顯部超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況（燒糊、變黃） 

新的規(guī)范：主柵大小勻稱，不容許有斷開，缺少、歪曲及其突顯。 

B級：斷開和缺少總面積不超出主柵線總面積的10%，歪曲突顯部超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況（燒糊、變黃） 

新的規(guī)范：主柵大小勻稱，容許有斷開，缺少總面積不超出主柵線總面積的5%，歪曲突顯不超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況（燒糊、變黃） 

C級：斷開和缺少總面積不超出主柵線總面積的20%，歪曲突顯部超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況 

新的規(guī)范：主柵線：斷開，缺少總面積不超出主柵線總面積的20%，歪曲、突顯不超出一切正常部位的0.5mm， 

副柵線： 

A級：副柵線容許大小不勻稱，存有總寬超過0.13mm，低于18mm的副柵線，段柵線≤6條，斷開間距≤2mm，容許有輕度虛印、缺印，總面積低于電級占地面積的5%.

新的規(guī)范：副柵線清楚，容許有兩根柵線存有斷開，斷掉總數(shù)≤3條，斷掉間距≤0.5mm；不容許有一切虛印、粗點；不容許有掉色狀況。 

B級：容許大小不勻稱，存有總寬≤0.25mm的副柵線，段柵線≤10條，斷開間距≤2mm，容許有輕度虛印、缺印，總面積低于電級占地面積的10%. 

電池片的制作工藝

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：高價回收硅片，電池片，初級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，光伏組件，太陽能電池板，客戶撤退，降級，庫存，El，不良測試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實驗板，債務(wù)償還，返工，光伏模塊回收等。

擴散工藝

擴散目的

在來料硅片 P 型硅片的基礎(chǔ)上擴散一層 N 型磷源，形成 PN 結(jié)。

擴散原理

POCl 3 在高溫下 （ > 600 ℃ ） 分解生成五氯化磷 （ PCl 5 ） 和五氧化二磷 （ P 2 O 5 ）， 其反應(yīng)式如下 ：

5POCl 3=3PCl 5 P 2 O 5

生成的 P 2 O 5 在擴散溫度下與硅反應(yīng) ， 生成二氧化硅 （ SiO 2 ） 和磷原子 ， 其反應(yīng)式如下 ：

2P 2 O 5 5Si = 5SiO 2   4PPOCl 3

熱分解時，如果沒有外來的氧（ O 2 ）參與其分解是不充分的，生成的 PCl5 是不易分解的，并且對硅有腐蝕作用，破壞硅片的表面狀態(tài)。但在有外來 O2 存在的情況下， PCl 5 會進(jìn)一步分解成 P2O 5 并放出氯氣（ Cl 2 ）其反應(yīng)式如下：  

4PCl 5 5O 2=2P 2 O 5 10Cl 2  

生成的 P 2 O 5 又進(jìn)一步與硅作用，生成 SiO 2 和磷原子，由此可見，在磷擴散時，為了促使 POCl3 充分的分解和避免 PCl 5 對硅片表面的腐蝕作用，必須在通氮氣的同時通入一定流量的氧氣。就這樣 POCl 3 分解產(chǎn)生的 P 2 O 5 淀積在硅片表面， P 2O 5 與硅反應(yīng)生成 SiO 2 和磷原子，并在硅片表面形成一層磷 - 硅玻璃，然后磷原子再向硅中進(jìn)行擴散。

影響因素

1. 溫度

溫度 T 越高，擴散系數(shù) D 越大，擴散速度越快。

2. 時間

對于恒定源：時間 t 越長結(jié)深越深，但表面濃度不變。

對于限定源：時間 t 越長結(jié)深越深，表面濃度越小。

3. 濃度

決定濃度是因素：氮氣流量、源溫。

表面濃度越大，擴散速度越快。

4. 第三組元

主要是摻硼量對擴散的影響，雜質(zhì)增強擴散機制。在二元合金中加入第三元素時，擴散系數(shù)也會發(fā)生變化。摻硼量越大，擴散速率越快。即電阻率越小，越容易擴散。

控制點

方塊電阻，外觀，單片均勻性，整管均勻性。

方塊電阻： 表面為正方形的半導(dǎo)體薄層在電流方向所呈現(xiàn)的電阻。 R= 電阻率 *L/S, 對方塊硅片，長度等于寬度，則 R= 電阻率 / 厚度，方塊電阻～ ( １／ Ns*Xj) Ns ：電化學(xué)濃度， Xj ：擴散結(jié)深。

太陽電池片標(biāo)準(zhǔn)

振鑫焱光伏科技有限責(zé)任公司長期購置：天價回收硅片，電池片，初中級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽電池，太陽能組件，太陽能光伏板，顧客撤離，退級，庫存量，El，欠佳檢測，2手，舊，工程項目，拆裝，道路路燈，拆卸發(fā)電廠，拆裝，人造板，層壓板，無界限結(jié)晶硅，多晶硅，單晶硅，試驗板，負(fù)債還款，返修，太陽能發(fā)電控制模塊收購等。 

3、界定 

3.1鈍性豁口豁口樣子展現(xiàn)為沿邊沿輕緩銜接，并不是向管理中心深層次的情況。 

3.2V形豁口豁口樣子展現(xiàn)為向管理中心銳利深層次的樣子，相近英文字母“V”。 

4、規(guī)定 

4.1設(shè)計方案和構(gòu)造4.1.1PCB原材料充電電池的PCB原材料就是指單晶硅片或多晶硅片，應(yīng)合乎有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。 

4.1.2電級 

4.1.2.1電級圖型詳細(xì)電級圖型規(guī)格及樣子應(yīng)產(chǎn)成品詳盡標(biāo)準(zhǔn)中要求。4.1.2.2電級應(yīng)無掉色狀況（如硫化橡膠造成的掉色）。4.1.2.3電級的導(dǎo)電率應(yīng)產(chǎn)成品詳盡標(biāo)準(zhǔn)中要求。

4.1.2.4電級的可焊性應(yīng)產(chǎn)成品詳盡標(biāo)準(zhǔn)中要求。 

4.1.3鋁背場4.1.3.1選用鋁背場總體設(shè)計的充電電池，因為反面鋁膜造成的充電電池彎折形變應(yīng)產(chǎn)成品的詳盡標(biāo)準(zhǔn)中要求。 

4.1.3.2反面鋁膜與PCB原材料的粘附抗壓強度應(yīng)產(chǎn)成品的詳盡標(biāo)準(zhǔn)中要求。 

4.1.3.3反面鋁膜的突起高寬比應(yīng)產(chǎn)成品詳盡標(biāo)準(zhǔn)要求。鋁膜圖型詳細(xì)，圖型偏移應(yīng)產(chǎn)成品詳盡標(biāo)準(zhǔn)中要求。

4.1.3.4反面鋁膜的導(dǎo)電率應(yīng)產(chǎn)成品詳盡標(biāo)準(zhǔn)中要求。 

4.1.4減反射膜選用減反射膜設(shè)計方案構(gòu)造的充電電池，減反射膜與PCB原材料的粘附抗壓強度選用5.1.4要求的方式 開展檢驗后，減反射膜不掉下來。 

4.1.5規(guī)格表1和表2要求了典型性充電電池的規(guī)格規(guī)定，別的充電電池的規(guī)格規(guī)格型號規(guī)定應(yīng)產(chǎn)成品詳盡標(biāo)準(zhǔn)中要求。